7月27日，SK海力士宣布，将投资3.5兆韩元（约合31.4亿美元）在京畿道利川新建一座存储器工厂，以应对不断增长的Memory存储需求，并保证未来产能增长的动力。SK海力士表示，为了满足日益增长的存储需求，必须扩大额外的投资，该新工厂将在2018年底开工，预计2020年10月竣工。

因为智能型手机、大数据等需求强劲，以及未来人工智能趋势的发展，市场对DRAM和NAND Flash需求持续增加。尤其是DRAM，由于需求持续增长，目前市场仍供应紧缺，而NAND Flash则因为原厂64层3D NAND产出增加，市场供应略显过剩。

为了满足市场对DRAM的需求，三星正在平泽厂扩大DRAM生产，SK海力士一直以来位于韩国利川和中国无锡工厂主要用于生产DRAM，利川主要是M10、M14，SK海力士新工厂M16是在利川新建M14工厂之后的第三座Fab工厂，预计未来将用于生产DRAM。中国无锡包括一期和二期工厂，二期工厂将在2018年底完成清洁室的安装，预计2019年即可进入投产阶段。

SK海力士存储器工厂分布情况

在NAND Flash方面，虽然目前NAND Flash供过于求，但三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等依然未停止扩产的脚步。2018年各家原厂均正在新建工厂，包括三星西安二期、东芝/西部数据Fab6和Fab7、美光Fab10三期，除了应对市场需求之外，也是为96层3D NAND量产而准备。SK海力士韩国清州的M11、M12主要用于生产NAND Flash，而且新建的M15工厂即将在2019年初投产。

2018年因为原厂64层3D NAND扩大供应，导致市场由缺货变成供过于求，而且2019年也即将有新工厂投产，NAND Flash后续市况引担忧。如今除了三星扩大DRAM产出，SK海力士无锡二期工厂也将在2019年投产，再加上新建的M16工厂，未来DRAM市场也恐有陷入供过于求的风险。