近期，三星、東芝/西部數據、英特爾/美光、SK海力士，以及長江存儲均發佈了其創新技術和戰略規劃。總結各家原廠技術發展，2018下半年目標是進入64層QLC NAND和96層TLC NAND量產階段，2019年推進96層QLC NAND技術發展，使得3D NAND單顆容量向1Tb以上邁進。

隨着3D NAND技術的快速發展，可以預見QLC將會取代TLC，猶如TLC取代MLC一樣，而3D NAND單顆Die容量的不斷翻倍增長，將推動消費類SSD向4TB邁進，企業級SSD向8TB升級，QLC SSD將扛起取代HDD的大旗。

三星開始量產96層3D NAND和64層QLC的SATA SSD

作爲NAND Flash市場的領先者，三星早在2013年就開始投入3D NAND，2018年三星已開始大規模生產第五代96層V-NAND，相較於上一代64層V-NAND，生產率可提高30%以上。目前三星基於96層推出的是256Gb V-NAND，數據存儲速度提高40%達到1.4Gbps，之後會基於QLC架構推出高達1Tb容量的V-NAND。

此外，三星也已大規模生產基於QLC SATA SSD，基於64層單顆Die 1Tb QLC（4-bit）V-NAND，新的QLC SSD搭載了32顆芯片，最高容量高達4TB，具有TLC SATA SSD一樣的性能水平，提供540MB/s的讀取速度和520MB/s的寫入速度，3年質保。

東芝/西部數據量產96層3D TLC NAND，QLC將在2019年初量產

東芝和西部數據早在2017年就宣稱已成功研發出96層和QLC技術，2018上半年加大Fab6工廠設備投資，以及建新工廠Fab7，下半年宣佈量產96層3D TLC NAND，以及成功開發出96層QLC（4-bit）NAND。

東芝96層3D TLC NAND將在Q4擴大出貨，還推出新XG6系列SSD，容量從256GB起跳，最高達1TB，以及提出基於XL-Flash低延遲3D NAND，類似於模擬成SLC NAND一樣。西部數據稱成功研發的96層QLC（4-bit）NAND，單Die容量最高可達1.33Tb，正在送樣階段，將優先用於SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產品，下半年批量出貨。

英特爾/美光大力推廣64層QLC NAND在SSD產品中應用

美光與英特爾開始量產64層QLC（4-bit）NAND，單顆Die容量達1Tb，美光基於新技術推出5210 ION系列SSD，且已開始對戰略合作伙伴的客戶出貨，預計Q4將會擴大供貨。英特爾基於64層QLC NAND針對數據中心領域推出PCIe SSD D5-P4320，容量最高8TB，針對消費類市場推出660P系列SSD，最高容量2TB。

美光和英特爾聯合研發的第二代3D Xpoint將於2019上半年面世，下一代的96層3D NAND已送樣給客戶，預計將在2018年底量產。

SK海力士推出4D NAND，96層堆疊512Gb TLC

SK海力士推出的4D NAND，採用CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型），存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。與傳統架構相比，4D NAND的外圍電路（PUC，Peri.Circuits）架構，可縮小芯片面積、縮短處理工時、降低成本。與採用72層堆疊的V4 3D TLC相比，96層堆疊的4D NAND面積減小30%、讀速提升25%、寫速提升30%。

SK海力士4D NAND初期是96層堆疊的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps，預計將在Q4送樣。SK海力士還將推出96層QLC NAND，單Die容量1Tb，預計將在2019年下半年送樣。

長江存儲公佈新技術Xtacking，將用於64層3D NAND，2019年投產

長江存儲（YMTC）發佈其突破性技術——Xtacking，爲3D NAND帶來高I/O性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期，榮獲美國FMS峯會“最具創新初創閃存企業”大獎。

長江存儲Xtacking技術使得產品開發時間縮短三個月，生產週期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，將外圍電路置於存儲單元之上，比傳統3D NAND更高的存儲密度。 長江存儲已在武漢存儲基地生產32層3D NAND，新Xtacking技術會應用於第二代64層3D NAND產品的開發，計劃於2019年實現量產。”