台积电遭病毒入侵全线停产

8月3日晚间接近午夜时分,台积电位于台湾新竹科学园区的12英寸晶圆厂和营运总部,突然传出电脑遭病毒入侵且生产线全数停摆的消息。几个小时之内,台积电位于台中科学园区的Fab 15厂,以及台南科学园区的Fab 14厂也陆续传出同样消息,台积电在台湾北、中、南三处重要生产基地,同步因为病毒入侵而导致生产线停摆。

8月5日,台积电对外公开受电脑病毒入侵后的详细进展,并警告,此事件影响了工厂生产,将导致出货延迟和营收减少,8月6日完全恢复生产。

刁石京:长江存储32层3D NAND今年Q4量产

8月4日,紫光集团联席总裁刁石京透露,位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),目前芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层3D NAND芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。

长江存储全新3D NAND架构:Xtacking,或用于64层3D NAND,2019年可实现量产

8月6日,长江存储公开发布其突破性技术——Xtacking。采用Xtacking,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。长江存储已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。

三星大规模生产QLC SSD,最高容量4TB,TB SSD的时代

8月7日,三星宣布开始大规模生产基于QLC(4-bit)SATA SSD,该新SATA SSD基于64层1Tb QLC V-NAND,搭载了32颗芯片,最高容量高达4TB,具有TLC SATA SSD一样的性能水平,提供540MB/s的读取速度和520MB/s的写入速度,3年质保。

三星凭借新的QLC V-NAND,还将面向消费类市场推出几款2.5英寸的QLC SSD,容量提供1TB、2TB、4TB,同时为了满足下一代数据中心、企业等领域快速数据存储,存储的高可靠性等,量产第五代96层QLC NAND之后,将在今年推出M.2 NVMe SSD,扩大产品阵容。

慧荣发布企业级PCIe NVMe SSD主控:SM2270

8月7日,慧荣(Silicon Motion)发布企业级和数据中心级PCIe NVMe SSD主控,型号“SM2270”。该主控支持NVMe 1.3标准协议,闪存控制器方面支持16通道,每个通道8个CE,总共128个,支持最新3D NAND,包括96层TLC和QLC NAND,最大容量16TB,支持LDPC、E2E DPP、DRAM ECC、SRAM ECC等多种纠错技术。SM2270已进入量产阶段。

投资359亿元,上海积塔半导体特色工艺生产线即将开工

8月7日,上海积塔半导体特色工艺生产线建设项目土地成功摘牌,并签订了土地出让合同,这为项目的顺利开工奠定了基础。按计划,特色工艺生产线项目将于本月开工,2020年投产。

据悉,该项目总投资359亿元,分两期建设,一期项目投资约89亿,主体工程为8英寸生产厂房;二期项目投资约270亿,主体工程为12英寸生产厂房。一期项目建成将实现月产能6万片的8英寸生产线、月产能5千片的6英寸生产线以及月产能3千片的12英寸先导生产线;二期项目建成将实现月产能4.7万片的12英寸生产线。

群联最新UFS 3.0控制芯片PS8317为5G手机备战

8月8日,群联展示多项控制芯片及储存解决方案,其中符合近期笔电厂扩大SSD渗透率的入门级SSD控制芯片PS5008-E8T、以及为5G旗舰智能型手机备战的高阶UFS 3.0控制芯片PS8317备受关注。

群联加速取得多家原厂3D NAND Flash认证,受惠于过去与各大国际原厂多年技术合作经验,包括在64层、96层的MLC、TLC、QLC等次世代多项规格的3D NAND Flash,群联皆已率先取得测试认证,并适时推出多项符合市场应用的多项SSD控制芯片包括有PS5012-E12/S12、PS5008-E8/E8T;另有eMMC/UFS控制芯片包括有PS8226、PS8313以及最新的UFS控制芯片PS8317,完整的产品策略,不但为客户带来差异化市场机会,也为群联电子扩大市场版图增添动能。

SK海力士发布4D NAND:96层堆叠512Gb TLC

8月8日,SK海力士宣布推出业界首款4D NAND,采用CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型),存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。与传统架构相比,4D NAND的外围电路(PUC,Peri.Circuits)架构,可缩小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。

SK海力士4D NAND初期是96层堆叠的512Gb TLC,I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准),预计将在今年Q4送样。SK海力士还将基于V5 4D NAND技术推出QLC,也是采用96层堆叠,单Die容量1Tb,目的在于取代HDD,预计将在2019年下半年送样。

东芝2018年Q1财报:营业利润7亿日元,同比下滑95%

8月8日,东芝发布2018财年Q1(4-6月)财报:东芝该季度整体营收下滑7.3%至8423亿日元(约合75.7亿美元);营业利润7亿日元,同比下滑125亿日元(约合1.1亿美元),同比下滑95%。归属于公司股东的净利润1.0167兆日元(约合91.4亿美元),出售TMC获利9655亿日元(约合86.8亿美元)。

其中存储和电子设备解决方案营收2177亿日元,同比增长3%,营业利润42亿日元,同比下滑143亿日元。其中半导体业务营收854亿日元,同比下滑6%,HDD及其他业务营收1323亿日元,同比增长11%。

三星宣布三年投资1600亿美元 并录用4万人

8月8日,三星抛出了未来三年将新增投资180万亿韩元(约合1600亿美元)的新方案,并将录用4万名新员工。这次大规模的投资计划中,130万亿韩元(约72%)将投在韩国国内,三星希望借此间接创造70万个就业岗位。

三星这次大规模投资分了两个部分,一个面向未来新兴产业进行战略投资;另外,在原有的技术优势领域半导体和显示领域,进行进一步的追加投资。

最高容量8TB,英特尔D5-P4320系列SSD,已被腾讯采用

8月9日,英特尔基于QLC NAND也推出了两款SSD新品,其中针对数据中心领域应用的PCIe SSD D5-P4320解决方案被腾讯采用,使得在之前的客户服务体系上,可以增加10倍的服务效率。消费类660P系列SSD,PCIe 3.0 X4接口,M.2 2280规格形态,提供512GB、1TB、2TB三种容量选择。

英特尔推出Ruler DC P4500 SSD:最大容量32TB

8月9日,英特尔推出Ruler形态的DC P4500系列SSD,尺寸约为30.48cmx3.81cmx0.84cm ,单个最大容量可达32TB。Ruler形态的DC P4500系列SSD采用64层3D NAND及全新NVMe控制器,PCIe 3.1x4接口,支持NVMe 1.2规范,顺序读写最高可达3300MB/s、1900MB/s,随机读写最高可达645K IOPS、65.6K IOPS。

中芯国际二季度营收同比增长18.6% 14nm已进入客户导入阶段

中芯国际发布了2018年第二季度财报,公司第二季度销售额继续保持高增长。更重要的是,公司在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展,已经进入客户导入阶段。

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