英特尔在业内批量揽才，先后挖来了 Jim Keller、Raja Koduri 和 Murthy Renduchintala 等技术大牛，这让英特尔的技术实力如虎添翼。近日英特尔（Intel）聘请了前格芯（GlobalFoundries）CTO、前 IBM 微电子业务主管 Gary Patton 博士。

Gary Patton 博士在半导体工艺方面造诣深厚，早些年就在 IBM 挑大梁，2015 年 GF 收购了 IBM 晶圆制造业务，他也随即进了 GF，担任 CTO，一直负责尖端工艺的研发。但格芯去年宣布放弃 10nm 以下工艺研发，并专注于利润更高的 14/12nm 工艺和其他特色工艺，公司的战略改变直接导致了一批传统高层技术人员外流，Gary Patton 也是其中之一。

获悉，此次 Gary Patton 在英特尔将担任企业副总裁、设计实现总经理，负责建设生态系统、部署特定工艺，以及处理器设计套件开发(PDK)、IP、工具等，促成新工艺满足预设的性能、成本、上市时间需求。

目前来说，在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局，这三家分别是英特尔、台积电、三星。

英特尔方面，日前报道中爆料的 2 年一更新的制程之路来说，虽然这是一个乌龙事件，但这是第一个被 ASML 爆料出的 1.4nm 工艺。当然，英特尔还强调了在每个流程节点之间，将会有迭代的+和++版本，以便从每个流程节点提取性能。但在 EUV 方面，仍然需要至 2021 年才会上 EUV 设备。

台积电方面，众所周知在 EUV 工艺上属于“熟练掌握”的玩家，诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电 7nm 工艺与英特尔 10nm 工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看，目前台积电已在 5nm 方面进入量产倒计时，3nm 与 2nm 已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验，或许性能方面仍然不会有差别。

三星方面，则稳扎稳打，从 14nm、10nm、7nm、3nm 四个主要节点进行规划，而在 3nm 节点以后，三星要放弃 FinFET 转向 GAA 晶体管，3GAE 工艺和 3GAP 工艺的优化改良之路还远矣。

半导体行业对顶尖人才的要求非常高，往往是一个领头人带着一个大团队披襟斩棘最终取得成功。正是因为如此，英特尔对于顶尖人才的追求才会如此积极。而且摩尔定律的 2 年一更新仍然在持续之中，而如若走在在 1nm 制程以下，摩尔定律该如何继续延续，这将成为一个严肃的问题。