本栏上周对半导体市场分析中，提到储存芯片行业「大」而「重」，是兵家必争之地。自2010年以来，储存芯片销售成为全球半导体市场增长的主要引擎，去年首次超过历年占比最大的逻辑电路，问鼎半导体产业。据WSTS数据，去年半导体储存器销售约占全球半导体市场三成，按年增长61.5%，远高于全产业增速21.6%。WSTS最新预计(16/8)，2018年全球半导体销售增速将分别达到15.7%，其中半导体储存器市场增速预计达到30.5%。

笔者认为，储存芯片规模之大，与其在电子系统中地位重要有关。高速发展的数字经济要求匹配更高性能的电子系统。除了系统处理器，储存芯片提供的读取速度能力亦显著影响系统性能高低，同时芯片承载大量数据和程序，关乎系统安全。相信，发展高性能且自主化的储存芯片是产业升级中无法回避的问题。

市场呈现海外寡头垄断局面

然而，由于技术门槛高等，储存芯片市场呈现海外寡头垄断局面，国产芯片占有率低。据DRAMeXchange，DRAM内存市场中三星、海力士和美光占据90%以上，NAND Flash闪存市场中三星一家独大。据芯谋研究所估算，储存芯片内地企业市占率仅为1%。

储存芯片是一个技术、资本、人才密集型的产业，在中国起步晚，而后发优势并不明显，自主化发展任重道远。笔者尝试从技术、资本和项目落地上分析未来储存器国产化可行性。

海外资本退潮 内地可乘势上

技术上，「摩尔定律放缓」和「IP可获得」为低品牌化属性的储存芯片提供自主化可行性。储存芯片的难点在于实现IP突破。由于储存器IP集中度适中，透过资本，以合作授权和自主研发相结合来获取IP较为常见。以DRAM为例，由于市场相对成熟，海外资本退潮时，内地资本可乘势而上，加快技术迭代和IP获取。此外，随着半导体工艺逐渐逼近物理极限，先进制程的芯片研发速度逐步放缓，摩尔定律下的性能加速逐步放缓，为芯片国产化留下追赶时间。加之，储存芯片产品差异化竞争较小，相较品牌，消费者更关注内存容量，这为日后国产品牌替代带来可能性。

国策支持为国产芯片创机会

储存芯片的另一难点在于实现制造环节规模化。资本上，半导体产业向内地转移趋势和国策红利为国产芯片实现量产创造机会。大量晶圆厂的落成将推动国内制造环节的发展。据SEMI预计，2017-2020年间，全球投产的晶圆厂约62座，其中42%位于中国内地。此外，2014年至今，国家亦出台多项产业和财税优惠政策支持半导体制造，成立产业基金，至今累计投资逾千亿，且将持续投入支持国产化。

项目落地上，内地三大储存项目长江储存（NAND）、合肥长鑫（DRAM）和福建晋华（DRAM）预计今年下半年实现量产，有望开启储存芯片国产化元年。以长江储存为例，2017年完成第一颗32层3D 闪存芯片国产化，今年年底将小规模投产，而预计2020年前，月产能达到30万片，同时还在推进64层3D闪存芯片，预计2020年前规模量产，将与世界领先水平差距缩短到2年以内。(笔者为证监会持牌人士，无持有上述股份权益)

耀才证券研究部分析员 黄泽航

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