摘要：\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp1.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRRtxmkZC59BUUX\" img_width=\"640\" img_height=\"418\" alt=\"台积电推出性能更强的7nm和5nm制造工艺\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E\u003Cstrong\u003E台积电\u003C\u002Fstrong\u003E\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E这两种新技术被称为N7P和N5P，与此前的N7和N5采用了相同的设计规则，但优化了前端（FEOL）和中端（MOL），因此可在相同功率下将性能提升7％，或者在相同的频率下降低10％的功耗。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E这两项技术最早曾在今年在日本举办的VLSI研讨会上透露了相关信息，但台积电并未进行广泛的宣传。

"\u003Cp\u003E近日，据外媒anandtech报道，台积电（TSMC）目前已推出了7nm深紫外DUV（N7）和5nm极紫外EUV（N5）制造工艺的性能增强版本。该技术专为需要7nm设计运行更快或消耗电量更少的客户设计。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp1.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRRtxmkZC59BUUX\" img_width=\"640\" img_height=\"418\" alt=\"台积电推出性能更强的7nm和5nm制造工艺\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E\u003Cstrong\u003E台积电\u003C\u002Fstrong\u003E\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E这两种新技术被称为N7P和N5P，与此前的N7和N5采用了相同的设计规则，但优化了前端（FEOL）和中端（MOL），因此可在相同功率下将性能提升7％，或者在相同的频率下降低10％的功耗。N7P采用经过验证的深紫外（DUV）光刻技术，与N7相比，没有改变晶体管密度。而N5P技术采用FEOL和MOL优化功能，在相同功率下可使芯片的运行速度提高7％，或者是在相同频率下将功耗降低15％。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E这两项技术最早曾在今年在日本举办的VLSI研讨会上透露了相关信息，但台积电并未进行广泛的宣传。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E【ZOL客户端下载】看最新科技资讯，APP市场搜索“中关村在线”，客户端阅读体验更好。(7232301)\u003C\u002Fp\u003E"'.slice(6, -6), groupId: '6719671303319601671