此文档适用于HT7178、HT7167、HT7166、HT71678HT7178为20V/14A 同步升压IC，HT7167、HT7166为13V/12A同步升压ICHT71678为带音频检测的13V/12A同步升压IC我们知道，同步升压IC，内置一个功率开关管和一个同步整流管，由于HT 产品均为大电流升压，电感峰值电流>10A，在两个功率管交替打开的时候，会在SW、POUT上产生高的毛刺。电感电流越大，电压毛刺越大。不合理的布局，导致EMI辐射超标，DCDC转换效率变低，IC可靠性降低。

下面以HT7178 为例，阐述如何进行合理LAYOUT。

1 输入滤波电容：为防止大电流工作时，VIN 输入波动大导致系统欠压，建议输入增加470uF电解电容。2 输出滤波电容：原则上，小电容能靠多近VOUT 管脚就靠多近，且电容地与芯片底部地回路粗短；大电容完全滤除电压毛刺后再供给后级。3 图中粗线为功率回路，尽量保持大电流路径足够线宽，且此块地平面能完整，回路最短（地包括VIN 输入的地，输入滤波电容的地，芯片底部地，输出滤波电容地）。4 电感L1 选择：1.5uH or 2.2uH，饱和电流>12A;建议择2.2uH 1040封装一体成型电感，Isat=16A 。5 开关工作频率：开关频率高，开关损耗大，但输入电流纹波小，折中这两个考虑，一般DCDC开关频率在500kHz—800kHz之间；200k 电阻对应650kHz开关频率。6 输入RC 滤波：在单节应用时，RC滤波防止VIN 波动大造成HT7178欠压；VIN大于8V应用时，增加R来保护HT7178的9脚VIN的正常工作。7 SW 增加RC，吸收SW 开关时候的毛刺，削减辐射8 R5、R6决定升压；ILIM决定输入峰值限流：COMP为补偿网络，须根据实际应用合理计算。9 预留二极管SS54，可提高DCDC 转换效率

下面以实际测试为例，阐述各参数的影响，主要针对SW、POUT上的毛刺，以及效率做说明。测试对比原型如下图：

条件：输入3.7V, 输入滤波470uF+2*10uF；限流电阻100k，限流12A peak；输出13.2V（510k+51k）；输出滤波220uF+2*10uF+1uF; COMP=（56k+3.3nF）// 51pF； SW无RC；无预留二极管SS54； 负载：2A直流负载输出；1 测试结果：输入3.7V，电流8.33A，输出13.28V 2A，效率86.17%

SW 上升沿，下管关，整流管开

SW下降沿，下管开，整流管关黄色为SW 管脚波形；红色为POUT波形；测试均为靠近芯片管脚，下同；可以看到，SW上升沿，在SW上有很高的毛刺，达到了惊人的19.2V，POUT上为16.2V；SW下降沿，SW 死区毛刺较小，但POUT上有更高的16.7V毛刺；2 在SW与POUT 直接，并联肖特基二极管SS52；二极管压降约0.2V，当整流管电流大于10A 时，整流管电压会大于0.2V，这时候SS52 可分担部分电流；同时，在下管和整流管交替打开时候，由于死区时间，靠内部体二极管续流，这样SS52 可很好续流。输入3.7V，电流8.18A，输出13.26V 2A，效率87.62%，提升约1.5点效率

SW 上升沿，下管关，整流管开

SW 下降沿，下管开，整流管关SW 上升沿，在SW 上有18.1V，POUT 上为15.6V；--SW 小了1V，POUT 小了0.5V；SW 下降沿，SW 死区毛刺较小，POUT 上为15.6V；--POUT 小了1V；可以看到了，在SW 和POUT 之间并了一个SS52,增加了一路续流路径，SW 和POUT 的毛刺有明显减小，尤其是POUT 在整流管关的时候；3 SW 上加RC，1Ω+3.3nF

SW上升沿，下管关，整流管开

SW下降沿，下管开，整流管关

SW上升沿，在SW上只有16V，POUT上为14.6V；--SW小了近3V，POUT小了1.5V；

SW下降沿，SW死区毛刺较小，POUT上仍为16.7V；--维持不变；

在SW上加了RC，延缓了SW开关的上升沿、下降沿；可以看到，在SW上升的时候，毛刺明显变小，且震荡也变很小，对于改善EMI有很好的帮助；但是，在整流管关的时候，对于POUT上的毛刺作用不大。

4POUTPOUT上挨近管脚的上挨近管脚的11uFuF电容去掉电容去掉

SW上升沿，下管关，整流管开

SW下降沿，下管开，整流管关SW上升沿，在上升沿，在SW上有上有21V，POUT上为上为18.2V；；----SW大了近2V，，POUT大了2V；；SW下降沿，SW死区毛刺较小，POUT上为19.3V；----POUT大了2.5V；可以看到，在挨近POUT管脚，无11uFuF电容的情况下，情况都有明显恶化，此种情况极易造成芯片损伤；另外，SW、POUT端的震荡也加剧，辐射变严重。5 POUT上挨近管脚的上1uF电容上再并上0603封装10uF电容

SW上升沿，下管关，整流管开

SW下降沿，下管开，整流管关SW上升沿，在上升沿，在SW上有19.1V，POUT上为16.2V；----无明显变化

SW下降沿，SW死区毛刺较小，POUT上有上有16.3V；----略微降低0.4V在POUT上继续增大滤波电容，对于SW端基本上没有再改善；对于POUT本身，有稍微改善。6 在结合上述，在SW加RC（1Ω+3.3nF）,SW与POUT之间加SS52

SW上升沿，下管关，整流管开

SW下降沿，下管开，整流管关SW在上升沿，在SW上有15.4V，POUT上为14.4V；----SW小了3.8V，POUT小了小了1.8V；SW下降沿，SW死区毛刺较小，POUT上为15.6V；----POUT小了1V；

综合来看，SW加上RC，能有效改善SW端的毛刺，降幅很明显；POUT上，滤波小电容的挨近管脚，能有效减小POUT端的毛刺。SW与POUT之间，并联SS52，可以进一步降低两者的毛刺。

上述测试前提是在地平面完整的情况下进行测试；若地分割严重，电流回路路径长，地阻抗大，也会进一步恶化情况。

PCB LAYOUT布局，请保持VIN进来的地，VIN滤波电容的地，芯片底部的地，POUT上滤波电容的地，为一个完整的平面。