最近，美光在二季度财报电话会议上透露出自己的新计划，那就是他们即将要开始量产基于全新RG架构的第四代3D NAND存储器。

据悉，美光将会在2020年第三季度对第四代3D NAND存储器开始生产，并在第四季度向客户发货。

第四代3D NAND存储器是美光一次重大的技术转型，该公司用替换门(RG)技术取代了与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术，而且，此次的第三代存储器层数达到了128层。

美光RG技术的完整设计，而且希望本次技术转型可以将管芯尺寸减小、减低成本、提高性能，并且更加轻松的过渡到更多层的下一个节点。

目前美光也向投资者表明，新产品量产工作要尽早开展，但是，他们也不会再今年全部转型生产RG架构芯片，因为早期的良率还有再提高的空间。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光在向RG技术过渡方面取得了很重达的进展，到2020年底，这项技术将会成为NAND总供应量重要的组成部分。