11月7日消息，美光宣布推出旗下首款面向移动设备的单片12Gb（1.5GB）LPDDR4X低电压动态随机存储器芯片，速度为4266 Mb/s。相较第一代LPDDR4X-4266内存，第二代产品的功耗下降了10%，为提升效率和降低能耗，该内存颗粒采用10nm工艺生产。【PChome存储频道资讯报道】随着智能移动终端设备的普及，及影响子系统和人工智能等工作负载的增加，应用程序和网络连接将对内存的要求越来越高，高频率、大容量的LPDDR4X内存将成为主流。今年10月正式公布的海思麒麟980芯片率先支持了LPDDR4X-2133内存。LPDDR4X内存是由三星等厂商率先推出的，主要是将LPDDR4内存中的Vddq电压从1.1V降至0.6V，Vdd2电压保持1.1V不变。相对于LPDDR4来说，LPDDR4X的电压更低，有效降低了内存能耗。11月7日消息，美光宣布推出旗下首款面向移动设备的单片12Gb（1.5GB）LPDDR4X低电压动态随机存储器芯片，速度为4266 Mb/s。相较第一代LPDDR4X-4266内存，第二代产品的功耗下降了10%，为提升效率和降低能耗，该内存颗粒采用10nm工艺生产。同时，单片提升到1.5GB后，可以为厂商部署6GB/12GB节省空间。今年7月份，三星率先发布了16Gb容量的LPDDR4X-4266内存，同样是基于先进的10nm级工艺。