华为已经开始将订单从台积电分散，其中麒麟 710A 开始转向中芯国际的 14nm。

据悉，麒麟 710 系列原本是台积电 12nm 代工，但荣耀 Play 4T 使用的麒麟 710A 则是中芯国际 14nm 生产。

对此消息，华为、台积电都没有正面回应。据了解，中芯国际上海公司几乎人手一台荣耀 Play4T。这款手机与华为商城线上出售的同款手机最大不同之处在于背面的 logo——SMIC 20，以及一行文字标注：Powered by SMIC FinFET，坐实传闻。

有业内人人士表示，“这是从 0 到 1 的突破。”资料显示，麒麟 710 于 2018 年 7 月由华为 Nova 3i 搭载发布，它也是麒麟首款 7 系列芯片，台积电代工，12nm 工艺，主频 2.2GHz，四颗 A73 2.2GHz+四颗 A53 1.7GHz 八核心设计。而麒麟 710A 则由中芯国际代工，14nm 制程，主频 2.0GHz，核心未变，主频略有差异。

中芯国际 SMIC 是国内最大、最先进的半导体晶圆厂，去年底正式量产了 14nm 工艺。

有知情人士披露，华为正在将自家芯片的设计、生产工作，逐步从台积电转移到中芯国际。据称，作为华为旗下的芯片部门，海思半导体在 2019 年底就安排部分工程师，联合中芯国际设计和生产芯片，资源方面也逐渐向中芯国际倾斜，而不再完全依赖台积电。

中芯国际将跳过 10nm 直接推出 7nm 工艺，包括 N＋1、N＋2 两种类型。其中，N＋1 工艺和现有的 14nm 工艺相比，性能提升了 20%，功耗降低了 57%，逻辑面积缩小了 63%，SoC 面积减少了 55%。

梁孟松博士表示，N＋1 代工艺在功耗及稳定性上跟 7nm 工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升 35%），所以中芯国际的 N＋1 工艺主要面向低功耗应用的。而在 N＋1 之后，中芯国际还会有 N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2 显然是面向高性能的，成本也会增加。

梁孟松博士表示，在当前的环境下，N＋1、N＋2 代工艺都不会用 EUV 工艺，等到设备就绪之后，N＋2 之后的工艺才会转向 EUV 光刻工艺。这也意味着后续的 7nm 工艺，中芯国际无需 EUV 光刻机也能实现量产。

至于推出的时间，梁孟松博士提到会在 2020 年底开始试产，而真正的量产可能要等到 2021 年了。如果明年中芯国际的 7nm 工艺顺利量产，那么将有望承接更多来自华为海思的订单。