我国国产存储技术迎来重大突破。在三星电子、SK海力士、美光科技等国际巨头的垄断下，国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑。虽然量产或对市场竞争短期无重大影响，但对于中国DRAM产业来说还是跨出了第一步，仍具有指标性的意义。

国际巨头垄断DRAM市场

DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。

DRAM因为其应用的广泛性和重要性，是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。也是原器件领域的一个重要组成部分。根据IHS Markit的数据，去年(2017)全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为722亿美元，较2016年的415亿美元增长了74%。更重要的一点的是，从2016年开始，DRAM的价格多次提高，2017年的价格涨幅更是高达40%。让一些终端厂商，尤其是国内的厂商叫苦不堪。这一方面是因为国内在这方面的缺失。

过往的经验表明，无论是面板、指纹识别芯片，还是CIS，只要有国产参与其中，他们不但能把产品的价格拉的比较低，还能倒逼国外的供应商降低价格，利好于终端厂商。但在DRAM这个领域，国内几近一片空白。

IHS Markit的数据显示，2017年DRAM市场份额的前三名中，三星电子占据44.5%，SK海力士占据27.9%，美光科技占据22.9%，三家企业一共覆盖了全球市场的95.3%，形成近乎垄断的格局。

2017年中国进口了896亿美元的存储芯片，几乎100%依赖进口。依赖别人，就容易受制别人。作为DRAM龙头的三星，就在价格上耍起了手段。因为涨价的影响，包括DRAM和NAND Flash在内的存储产品在2017年较之2016年的800亿美元暴涨了65%。但进入今年NAND Flash开始走弱，但是DRAM还价格还在持续上扬，据透露，三星的蓄意减产是造成这个结局的一个重要原因。

在之前，市场还传出了三星18nm工艺的内存芯片遭遇良率问题，需要两三个月时间才能解决，这或将导致高端市场内存缺货，但这是在三星18nm产品亮相两年后出现的传闻，这就让人对三星的操作有所怀疑。瑞银分析师Timothy Arcuri更是表示，三星18nm芯片良率导致减产问题，可能只是暂停生产以控制产品供应量。他指出三星在内存价格下跌之前就延迟增产，这个举动不寻常，他认为三星此举是贯彻了过去几年中该公司“利润第一”的管理方式。

 况且，数据显示，DRAM需求在未来几年会迅速增长。国内作为主要的制造大国，对其需求有增无减。多方面的因素综合，迫使中国去打造自主可控的DRAM企业。

国产DRAM突破

近期，合肥长鑫存储的DRAM正式首次投片，产品规格为8GBLPDDR4。这是第一个盖有“Made In China”印记的存储器，是DRAM产业“自主研发道路”上的里程碑。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究副总经理郭祚荣表示，目前8GB LPDDR4是移动内存的主流规格，意指合肥长鑫希望在最短时间内可以与世界先进企业、竞争对手齐头并进。合肥长鑫开始投片，代表在芯片设计上已达到一定水平，且产品上市指日可待，但日后产品生产良率和稳定度仍有待观察。

据悉，合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

此外，合肥兆鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。

根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

从这次投产的时间来看，兆易创新/合肥长鑫的内存研发、生产正在按部就班进行，推出8Gb LPDDR4只是计划中的进度而已，不过从技术突破来看这应该是国内公司首次投产LPDDR4内存，此前紫光国芯计划提供的也只是DDR4颗粒。

不过话说回来，不论是DDR4还是LPDDR 4颗粒，国内公司投片生产虽然可喜可贺，但是从试产到大规模上市再到形成竞争力依然有很长的路要走，明年底的产能也不过2万片晶圆/月，即便不考虑明年国际主流是LPDDR4的技术差距问题，2万片晶圆/月的产能对全球每月上百万片晶圆的产能来说依然不会有什么重大影响。

最近，随着中国正式启动对三星、美光、SK海力士等内存三巨头的反垄断调查，国产内存也再次成为了受关注的焦点。目前国内DRAM的研发制造方面共分为三大阵营，无论是合肥长鑫、长江存储还是福建晋华，都基本将量产时间定于2019年上半年。其中DDR4的进度普遍较快，但在应用前景和专利风险都相当可观的LPDDR4领域，只有合肥长鑫进度最快。

不过，近日三星宣布了8Gb LPDDR5内存颗粒的正式量产。内存三巨头在DDR5、GDDR6的技术积累已经基本完成，产业布局也更为成熟。在可以预期的2-3年内，国产内存极有可能会面临着出生即落后的境遇。而由于制程与产能的双重落后，国产内存在短期内很难对国际DRAM市场格局造成影响。但从长期来说，国产存储芯片的大规模投产一定会对市场格局造成冲击。

新CEO上任望加速前行

值得注意的是，就在合肥长鑫宣布DRAM投片后，合肥长鑫合作方兆易创新16日发布公告，董事长朱一明辞去总经理职务，但仍将担任董事长一职。

据悉，朱一明将接任合肥长鑫存储及睿力CEO，担任合肥长鑫存储及睿力CEO经过合肥有关单位、大基金批准，未来将会全职投入职位，持续研发、持续投入，并“在项目盈利之前，不领取一分钱薪酬和奖金。”

根据兆易创新公开的信息，1972年出生的朱一明先后在清华大学、纽约州立大学石溪分校获得物理学硕士学位和电子工程系硕士学位。2000年6月-2001年5月，朱一明在iPolicy Networks Inc.任资深工程师；2001年6月-2004年11月，任Monolithic System Technologies Inc.项目主管。

在硅谷实战多年后，2015年4月，朱一明带着在芯片设计领域积累的丰富经验和技术实力，回国创建北京芯技佳易微电子科技有限公司，后更名为兆易创新。

2010年，朱一明入选北京“海聚工程”和中央“千人计划”，并被授予国家级“特聘专家”。

据资料显示，合肥长鑫集成电路有限责任公司是由合肥市产业投资控股（集团）有限公司和合肥产投新兴战略产业发展合伙企业（有限合伙）投资建立的。公司成立于2016年，由中芯国际前CEO王宁国主导。

2017年，兆易创新大动作宣布与合肥产投(合肥产业投资控股(集团)有限公司)签署为期五年协定，双方将在合肥经济技术开发区合作开展19nm制程存储器，专案预算共计人民币180亿元。

兆易创新和合肥产投的合作，将会给兆易创新的“DRAM梦”提供一个新的机遇，这个机遇首先包括：将为合肥经济技术开发区空港经济示范区内开展19nm制程的12吋晶圆存储器(含DRAM等)研发，目标是在2018年12月31日前研发成功，并实现产品良率不低于10%。

从目前的发展上看，兆易创新和合肥长鑫的这次合作非常顺利。合肥长鑫在短短的两年内，在元件、设计、光罩、制造和测试领域都做了不少的积累。截至2017年底，已申请专利354件，2018年计划申请专利1155件：其中计划申请元件专利126件、设计专利144件、成像专利224件。计划至2018年底，申请专利数量总计达到1509件。

虽然合肥长鑫已经迈出了重要一步，但在强敌环伺下，他们未来还有很长的一段路要走。