【探索真假：上海微电子是否研发出11nm光刻机？并无限接近ASML光刻机？】

因为华为这段时间被美国打压的厉害，我们对于光刻机的期待值与日俱增。特别是我们被ASML的光刻机技术所垄断，难以打破西方国家对于我国光刻机的束缚，可以说目前我国的光刻机技术就是处于一个相对比较发展缓慢的阶段，和世界先进技术还是存在不小的差异。

我说一说这段时间我所接受的一些消息，和我所获得的一些自媒体的内容：

1.第1个消息是我之前所看到的一则关于上海微电子即将推出22纳米的光刻机。

2.第2个消息更是有板有眼，这个消息说上海微电子预计在2020年12月，可能下降首台采用ArF光源的可生产11nm的SSA800/10W光刻机。并且提到如果采用华卓精科工作台的套刻精度指标优于1.7纳米，该光刻机有生产7纳米制程的潜力（多次曝光）。

据说它的核心技术是浙江大学研发团队启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。

为此我专门搜索了一下关于浙江大学11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。

我在启尔机电官网并没有找到相关新闻，倒是在杭州青山科技城管委会中，发现了一篇：【青山酿匠心 劳模展风采⑦ | 徐宁：助力“芯”制造】的文章，提到了这样一段话：“我们现在还处于研发测试阶段。”徐宁说，预计今年底，能够向前迈进一个大台阶。

但是不是11nm制程浸没式光刻机的浸液系统并不得而知，我们希望是真的！

其实，之前还有一则消息，上海微电子目前最新研发出的是28nm没式光刻机，这个消息我觉得真实性更高一些。

确实，我们需要更为先进的光刻机，上海微电子确实在我国光刻机技术中独占鳌头，但我觉得我们在期盼我国光刻机技术能有所进步的同时，不能够试图猜想一些所谓的事实，目前并没有说上海微电子，光刻机技术达到了11纳米制程，我个人认为我们需要等待最真实的官方消息，而不是肆意的猜测。

目前，我国光刻机技术确实受到了西方国家的一些技术方面的限制，我们只有突破它的限制，走一条非ASML的路，才有可能弯道超车，我们也相信国内的光刻机技术能够突破这一点，但是，我们反对在没有事实根据的前提下，随意的猜想。