从芯片生产制造层面来说，比较重要的就是代工厂商的生产技术，而在具体生产过程中还需要光刻机这项最核心的技术装备，就这两项来说，我们大陆厂商至少落后5~10年，如果未来不积极追加投入，不集中资源来推进的话，可能落后时间更长。

现阶段国内技术最好的代工厂商是台积电，全球第一，其次是大陆地区的中芯国际，台积电生产工艺全球第一，已经在研发最先进的3nm制程，5nm制程今年将量产。真正能依靠的就只有大陆地区的中芯，但是他目前的技术实力在全球各芯片代工厂中处于底层，现有技术只能实现14nm制程的量产，下一代 N+1 制程能实现类似于7nm低功耗版，这个制程要2021年才能全面量产，而相当于7nm高性能版的N+2制程目前还不确定什么时候能量产。

因此从技术层面来说中芯至少和台积电差了2-~3代左右，代工厂生产芯片需要的核心设备是光刻机，而国产光刻机在这方面的确比较落后，目前量产光刻机为90nm制程。今年传来好消息，国产28nm节点光刻机可能于今年年末下线，这台机器如果能量产的话，最高能用于7nm制程工艺的生产，这样一来基本上能保证我们现有大部分中高端芯片的生产。

但是光刻机从研制下线到真正的量产还有一段时间，最快也得要1~2年，这其中还得解决良率的问题，真正放到代工厂一线使用怕是需要更长久的时间。此外从光刻机的技术角度出发，我们28nm光刻机即便量产，和荷兰ASML光刻机仍旧有很大差距，目前他们量产了7nm EUV光刻机，可用来生产5nm、3nm这样选进制程的芯片。

综合上述内容，可以发现在芯片生产的核心技术上我们有差距，好在这2年正在快速追赶中，按照现有的技术路线发展，中芯的代工工艺和自研光刻机在未来几年能满足国内主流市场的需求。