LPDDR5 风起于小米 10，浪激在中国半导体之内存江湖（下）
在 IT之家上一篇《风起于小米 10 ，浪成于 LPDDR5 身后的内存江湖（上）》中，汐元为大家简单科普了一下被小米 10 带火的 LPDDR5 内存到底是什么，顺便梳理了一下 LPDDR 内存的演进之路。
按照计划，这一篇将和广大 IT之家小伙伴们分享一下目前 DRAM 存储市场的发展情况，以及中国在 DRAM 领域的进展。无论是否考虑目前的国际形势，中国在半导体产业自力更生的这一步是势必要迈出的，所以本文也会介绍一下当下国产 DRAM 内存产业究竟走到了哪一步。
一、共同瞄准 1Z 纳米工艺
经常刷 IT之家的小伙伴们一定都了解，计算机系统结构的存储器包括三大种：缓存、内存和存储。
缓存通常用的是 SRAM，虽然对运行速度要求最高，但容量等需求这么多年没太大变化。存储是指我们平时所说的闪存，包括硬盘、U 盘等，它的容量需求增长过快，存储介质也在发生变化。
▲图自：torange
所以，只有内存 DRAM 的市场一直以来最稳固，规模最大。
就 DRAM 市场格局来说，经过过去五十多年的竞争和发展，现在全球 DRAM 市场已经形成一个寡头垄断的局面。
根据公开资料信息，2018 年三星、SK 海力士和美光在 DRAM 全球市场中占比分别为 46%，29%，21%，三家占比加起来超过 95%。
LPDDR 自然也是以这三家供应商为主。
在工艺制程方面，内存也不像 CPU 那样正朝着 5nm、3nm 进发。在工艺进入 20nm 之后，内存的制造难度就越来越高了，行业也遭遇了一些瓶颈。在 10 纳米级别上，行业将它分成了 3 代节点，分别是1Xnm（16-19nm）、1Ynm（14-16nm）、1Znm（12-14nm）。
以目前最厉害的三星为例。下面这张图是三星官方给出的 LPDDR 内存量产历史：
可以看到，在 2018 年的 7 月，三星已开始量产 1Y 纳米工艺的 LPDDR4X 内存。
再往后，2019 年 3 月，他们已经在开发 1Z 纳米工艺的 DRAM，当时计划在 2019 年下半年开始量产。
这个技术进度已经是三巨头里比较领先的了。
LPDDR5 方面，三星在 2018 年 7 月即开发出了 8Gb 的 LPDDR5 内存，然后在 2019 年 7 月 18 日，已经开始为高端智能手机量产 12Gb LPDDR5 内存，采用的工艺是 1Y 纳米。
IT之家之前报道了三星 Galaxy S20 发布的新闻，我们看到，目前三星也已经搞定了 16Gb LPDDR5。
我们知道，小米 10 系列的 LPDDR5 供应商同时包含三星和美光。并且小米 10 系列先期采用的是美光的 LPDDR5。事实上，美光在 LPDDR 工艺研发的进展上也比较顺利。例如这次交付给小米 10 的 LPDDR5 内存采用的也是 1Y 纳米工艺。
另外，美光在2019 年 8 月已经开始量产 1Z 纳米的 DRAM（16Gb DDR4），并计划在今年晚些时候推出相关产品。
海力士方面进度稍慢一些，他们在 2019 年 4 月才宣布将销售 1Y 纳米工艺的内存芯片，今年 CES 2020 上，也只是展示了 LPDDR5 原型内存解决方案。他们目前正在努力提高 1Znm 工艺 16Gb DDR4 的量产，并在积极拓展到 LPDDR5 等市场，同样预计在今年大规模量产。
总体来说，1Z 纳米的工艺是行业巨头们接下来攻关的重点，并且不出意外的话会在今年晚些时候我们就会看到实际的产品。当然啦，未必是适用于手机的 LPDDR 内存。
二、中国 DRAM 产业，栉风沐雨四十年，迎追赶良机
先和 IT之家小伙伴们分享一组比较扎心的数据。
根据 IC Insights 的调查报告，2016 年，中国本地的市场消耗 1070 亿美元半导体产品，需求量占全球 30% 左右。
而根据光大证券《2017 年中国集成电路产业现状分析》报告中给出的中国核心集成电路的自给率数据，DRAM 的自给率为 0%。基本是完全依赖进口的状态。
当然，这些是 2016 年、2017 年的数据，而在距今的几年时间里，国内 DRAM 产业也取得了一些可喜的进展，我们下面会说。
刚才汐元介绍了 DRAM 全球的产业格局，基本情况相信大家也了解了。
那么在这样一个寡头垄断的局势下，中国 DRAM 存储产业有破局的机会吗？我们究竟又处在哪一步？
下面，汐元不妨和大家讲一讲中国 DRAM 产业的发展情况。
说起来，中国 DRAM 产业的发展起步其实也不晚，至今已经有了 40 多年的发展历史，只是受到技术、市场、产业链等因素的影响，没有真正发展成一个成熟的产业体系。
1975 年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，在 109 厂采用硅栅 N 沟道技术，生产出中国第一块 1K DRAM。
1978 年，中科院半导体所成功研制 4K DRAM；接着在 1981 年，又成功研制了 16K DRAM。
1986 年 - 1989 年，由中科院 742 厂和永川半导体所无锡分所合并成立的华晶电子集团，成功研制了中国人第一块 64k DRAM，采用的是 2.5 微米工艺。
到了 90 年代，中国的 DRAM 产业开始尝试了早期的市场化探索。
其中，无锡华晶电子在国务院八五计划（1990-1995） 15 亿元资金的支持下建设了月产能 1.2 万片 6 英寸晶圆厂，并在 1993 年首次成功研发 256K DRAM。
▲华晶微电子的前身，无锡 742 厂
1995 年和 1999 年，当时的首钢 NEC 和华虹 NEC 分别推出了 4M DRAM 和 64M DRAM 内存芯片，特别是后者采用了 0.35 微米工艺，在产品上也达到了当时行业的主流水平。
首钢 NEC 和华虹 NEC 均有当时的 IT 巨头日本 NEC 公司入资背景。例如华虹 NEC 是由上海市政府 5 亿美元组建的华虹微电子与日本 NEC 共同成立，日本 NEC 出资 2 亿美元。
类似的探索大约到 21 世纪前十年，这段时间以政府扶持、自主研发 + 技术引进为主要特点。
这一时期的探索最终没有很成功，主要是受到了技术、设备封锁以及海外合作厂商的衰落等因素的影响，但这些也为中国 DRAM 产业积累了宝贵的经验和人才基础。
2010 年以后，中国的 DRAM 产业获得了新的发展局面。
这一时期，出海并购成为主要的特点。这里举例两个重要的并购事件，分别是 2015 年的紫光收购奇梦达和大陆资本收购 ISSI。
先说第一个。奇梦达的前身是德国英飞凌科技 2003 年在中国西安成立的存储器事业部，后来独立成了奇梦达科技。所以，它是德系的。
不过，奇梦达科技后来发展遭遇了困难，在 2009 年破产了。同一年，它被浪潮集团收购，更名为西安华芯半导体有限公司。
再后来，就是 2015 年，紫光集团旗下的紫光国芯股份有限公司收购了西安华芯半导体（也就是我们说的奇梦达），收购后的公司名为西安紫光国芯半导体有限公司。
这一次收购填补了国内 DRAM 芯片设计的空白。2017 年，紫光已经在开展 DDR4 存储芯片和模组的设计与开发，当时 IT之家也作了相关报道。
不过，紫光的业务重心并不在 DRAM 上，当时虽然这么说，但似乎一直到 2019 年才有了实际动作。
第二个是大陆资本收购 ISSI。ISSI 是成立于 1988 年的美国公司，擅长设计、开发高速、低功耗 SRAM 以及中 / 低密度的 DRAM、NOR 闪存产品，主要应用于汽车、工业、医疗、消费电子等专业领域。
ISSI 于 2015 年 12 月从纳斯达克退市，以武岳峰资本为主的中国资本联合体完成对 ISSI 的私有化收购，私有化主体为北京矽成。这次私有化过程中就遭到了美国 Cypress 的阻挠。后来，北京矽成也先后差点被兆易创新、思源电气收购，最终落地为北京君正实现资本化。整个过程也是一波三折。
总得来说，收购 ISSI 标志着海外 DRAM 厂商第一次整体整合进中国存储产业之中。
不过，这两次重要收购为国产 DRAM 存储市场带来的都是芯片设计的能力，而不是从设计到制造到封装测试的系统化能力（IDM）。
而从 2014 年开始到现在，中国存储产业才真正开始向 IDM 时代迈进。
目前，国产 DRAM 市场的主要玩家包括紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等。其中合肥长鑫是目前比较被看好的。
因为近些年中国在半导体存储器产业的集中投资逐见成效，如果中国建立的存储器企业一旦实现量产，对于行业巨头将构成很大威胁。前面我们说了，全球半导体需求将近 1/3 来自中国，如果中国能自给自足，这些巨头们还怎么做生意？
从 2016 年开始，美国存储巨头美光就开始陆续对台湾的联电和大陆的福建晋华发起诉讼，诉讼理由无外乎侵犯知识产权等，但这些诉讼要么没有结果，要么被美国联邦法院驳回。这里插一句，台湾联电和福建晋华此前曾建立合作关系。
▲图自：福建晋华官网
这些诉讼纠纷只是开始。
终于，2018 年 10 月 30 日，美国商务部发布公告，确认实施美国工业安全局 BIS将福建晋华添加进实体清单的决定，规定所有美国公司在没有申请特殊豁免的前提下，不得对福建晋华销售所有软件及设备和技术服务。
这道禁令无疑让刚刚有所起色的国产 DRAM 存储市场顿时又陷入阴霾。
而作为我国 “十三五”集成电路重大产能布局规划中企业的福建晋华，成了第二个中兴，原来 2018 年底的 DRAM 量产计划也被搁置，目前进度不理想。
同时业界也在担忧中国另一家 DRAM 关键大厂合肥长鑫存储是否会成为下一个被钳制的企业。
合肥长鑫存储技术有限公司，是 2016 年 5 月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与国内细分存储器领域的领军企业兆易创新共同出资组建的，也是安徽省单体投资最大的工业项目。
事实上，2017 年，美光就曾对从台湾华亚科跳槽到合肥长鑫的上百名员工发存证信函，欲采取施压手段，表明美光已经在 “关注”合肥长鑫。
▲图自：合肥长鑫官网
一时间，业界揣测四起，众说纷纭，其中大家讨论的一个关键，就是合肥长鑫的技术是来源于哪里？
相信 IT之家小伙伴们也明白这一点的重要性。首先我们必须保证自己采用的技术本身让人挑不出问题。
终于在 2019 年 5 月，合肥长鑫对外表示，他们的 DRAM 技术基础来源于德系的奇梦达半导体。
没错，就是我们前面说到的在十年前就倒闭的奇梦达。
当年奇梦达在宣布破产前，已经成功研发出 DRAM 的基础堆叠式技术 Buried Wordline（埋入式闸极字元线连结），且实验室研发也已经到了 46nm 的工艺，但是因为之前走了弯路，资金无以为继，于是倒闭。
▲图自：中国闪存市场峰会，长鑫存储的演讲环节
奇梦达虽然倒闭了，但他们的技术还是蛮先进的，并且 “造福”了好几家半导体公司，其中就有合肥长鑫存储。他们通过和奇梦达合作，获得了一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据。
这些技术资料，正是合肥长鑫能够进一步创新、发展的基础，中国 DRAM 也才能够延续火种。
▲图自：中国闪存市场峰会，长鑫存储的演讲环节
目前，合肥长鑫已经在2019 年末开始量产国内第一批 19nm 的 8Gb LPDDR4 内存，即前面所说的 1Xnm 工艺。
这意味着他们已经是国内第一家也是唯一一家 DRAM 生产商，换句话说，他们也许就是我国 DRAM 自给率实现突破的第一步。
另外，合肥长鑫 8Gb 的 DDR4 内存也于 2019 年底交付。同时，合肥长鑫计划在2021 年量产 17nm 工艺的 DRAM 芯片。
图自：合肥长鑫 DRAM 技术路线图
这些无疑承载着 DRAM 存储国产化从零到一的希望。
更值得振奋的是，合肥长鑫也是全球第四家DRAM 产品采用 20 纳米以下工艺的厂商。
紫光国芯方面，2018 年小规模量产过 DDR4 内存，但 2019 年才真正切入到自主 DRAM 领域，建立 DRAM 事业群，预计 2021 年开始量产，进度上要慢一些。
而紫光集团旗下的长江存储，一直以来主攻的领域是的 3D NAND Flash 闪存，不过随着他们也和紫光共同研发 DRAM，两强合作，相信能很快赶上进度。
总得来说，说合肥长鑫是目前国产 DRAM 存储的唯一希望也不为过。这并不是坏消息，说明我们还手握着追赶的希望。
三、总结：砥砺前行，终不负，有心人
仅从 DRAM 内存的角度来说，中国企业无论是在技术还是产业链方面，距离全球顶尖的厂商都有较大的差距，产品自给率方面更是不容乐观。
但是，我们也无需灰心，纵观全球 DRAM 存储市场，除了三星、海力士以及美光三巨头外，从技术上讲，中国也仍然是有一定的领先性的，这很关键。
中国的消费电子产业环境已经成熟，半导体需求量巨大，而中国经济也在向着高附加值的产业结构转型，中美贸易摩擦带来的技术封锁，让半导体产业的国产化被提到一个前所未有的高度。
同时，根据 IC Insights 的报告，全球半导体产业的转移趋势正是从美国向日本，然后向韩国、台湾地区，接着向中国大陆转移的过程。
于时于势，中国正处在半导体产业国产化的良好时机，以及关键时刻。
以 DRAM 存储产业为例，中国已经经历了 40 多年的探索，筚路蓝缕，惨淡经营，很多人进来很多人离开，经历无数教训、挫折、隐忍和韬晦，才换来宝贵的人才和技术积淀，才能保住赶超行业巨头的 “火种”。
接下来，我们需要进一步加大企业自主创新 + 国家意志支持的力度，坚定 IDM 的发展模式，进行产业全链路的布局，高度重视技术、专利的原创性，避开巨头们的干扰、阻挠。
只有做到这些，才能在机遇和风险并存的产业环境中不断前行，实现我们在半导体产业独立自主的目标。
参考
DeepTech 深科技，2019-05-16，《一家 10 年前破产的芯片厂，竟让国内存储大业摆脱侵权疑虑？》。
半导体行业观察，2020-02-10，《存储，江湖》。
半导体行业观察，2019-07-02 ，《美光 DRAM 路线图深度解读》。
ESM 国际电子商情，2020-02-11，《LPDDR5 8GB 放量起跳，三大原厂厉兵秣马备产能》。
电子信息产业网，2020-02-12，《美光首推 LPDDR5 芯片 将应用于小米 10 手机》。
国泰君安证券，2019-05-29，《DRAM：产业结构变化孕育中国玩家进场良机—芯片国产化专题报告之五》。
光大证券，2018-01-09，《半导体：中国崛起正当时》。
与非网，2020-01-15，《中国存储技术获得重大突破，全球存储市场将变天？》。
