提到芯片始终绕不开光刻机，而我国的光刻机始终还未突破28nm，能否绕过光刻机，换道超车来制造芯片呢？

碳基芯片给了我们确定的答案，硅基和碳基两种芯片，有着不同的制备策略，硅基芯片采用的是TOP-Down从上而下的加工方法，而碳基芯片采用的是Bottom-UP自下而上的组装方法，两种芯片制造最大的区别在于硅基芯片是从上而下在硅晶源上通过光刻和刻蚀等工艺雕刻处复杂的器件结构。

而碳基芯片是从下至上利用大量的碳纳米管像积木组装一样搭建成宏观的器件结构，这种方式，让我们绕开光刻机也能完成芯片的制造，但怎样得到高纯度长度均一的碳纳米管，如何把这些碳纳米管整齐划一的固定到基片上呢？这是非常令人头疼的问题？

碳基芯片在理论上可行，性能上也很有优势但近20年一直未能突破，这时为什么呢？一个重要的问题就是，想要做成碳基晶体管就必须对碳纳米管进行参杂处理，来控制晶体管的极性和性能，而对于碳纳米管来讲，参杂则会丧失原有的运行速度等优势，这显然是个矛盾的问题，谁解决了这个矛盾点谁就站据了碳基芯片发展的先机，好消息是中国率先给抓住了