上周苹果发布了一份题为“三星发誓要在2022年超过台积电的芯片业务，并力争赢回苹果的芯片业务”的报告，报告指出，三星的目标与台积电在2022年下半年实现3纳米芯片批量生产的目标一致。尽管三星也希望通过采用被称为“Gate-All-Around”的技术更好地实现这一目标，这种技术被一些人认为是改变游戏规则的技术，可以更精确地控制通道间的电流，缩小芯片面积并降低功耗。台积电选择了更成熟的纳米FinFET结构。

当然，台积电不会让三星得逞，并在一份新的报告中反驳称，台积电在2纳米制程工艺上取得了重大内部突破。乐观估计2纳米工艺有望在2023年下半年进行有风险的试生产，并在2024年进入批量生产阶段。台积电还表示，2纳米的突破将再次扩大与竞争对手的差距，同时继续遵循摩尔定律并继续推进1纳米工艺的研发。

那么这是什么“突破” 在2nm制程中，台积电将放弃已经使用多年的FinFET（鳍式场效应晶体管），甚至不使用三星计划在3nm制程中使用的GAAFET（环绕栅场效应晶体管），但将其扩展到“ MBCFET”（多桥沟道场效应晶体管）中，即基于纳米片而非纳米线。

MCBFET是GAAFET的一部分，这意味着GAAFET不是一种产品，而是基于其概念的许多产品。就MCBFET性能而言，表示该技术将减少50％的功耗，而性能将提高30%，每一个晶体管占用的硅空间将减少约45％，这也将大大提高密度。

从GAAFET到MBCFET，从纳米线到纳米片，它可以看作是从二维到三维的飞跃，可以极大地改善电路控制并降低泄漏率。

台积电预计，苹果，高通，英伟达，AMD和其他客户将率先采用其2nm工艺。