原标题：科技巨头弯道超车，全球首款2nm芯片问世，技术比台积电更先进

如今，三星、台积电都在争夺3nm、2nm制程。但是全球首颗2nm EUV芯片，却并非出自二者之手，而是由IBM首发。

5月6日，IBM宣布造出全球第一颗2nm制程半导体芯片。据官方表示，该技术可在150平方毫米的面积（也就指甲盖大小）上，安装5000亿颗晶体管。

值得注意的是，IBM所说的2nm，并非是栅极长度，其栅极长度为12nm；IBM指的是等效的晶体管节点密度。

在晶体管密度上，IBM的2nm芯片高达333.33，密度相当高。而台积电的171.3晶体管密度的5nm芯片，则显得有些不够看。

由此可见，IBM在技术上比台积电更为先进。如此高的晶体管密度，注定了IBM这颗芯片的性能不会低。

相较于7nm芯片，IBM的2nm芯片在性能上增加了45%，而能耗则降低了75%，表现很是优秀。

IBM并没有采用传统的FinFET结构，而是采用了新的GAA晶体管技术中的纳米片结构。在2nm芯片中，IBM共采用三层纳米片。

不过这一技术，在片与片之间的刻蚀与薄膜生长上，会更难以控制。

IBM 2nm芯片的问世，令其在芯片制程上成功实现了弯道超车。

IBM表示，自家2nm芯片技术有望将手机电池寿命提升3倍、带来更快的应用程序处理能力、帮助自动驾驶汽车更快检测物体等。由此可见，IBM的这一技术对全球半导体、科技领域的影响之大。

IBM是全球领先的科技巨头，在芯片领域也有着出众的表现。因此，其能有这一突破在情理之中。

在130nm制程之前，全球芯片制造厂所采用的铝制程，便是出自IBM之手。在芯片制造领域，IBM也曾在全球大放异彩。

虽然IBM在芯片制造上已经式微，但IBM依然没有放弃对芯片的研发工作，仍保留着着在美国纽约州奥尔巴尼的一家芯片制造研究中心。IBM的2nm芯片，便是诞生于此。

如今，IBM用全球首颗2nm EUV芯片，再次证明了自己的实力，这也将为公司应对严峻的技术挑战。

不过应该注意的是，IBM并不具备量产该2nm芯片的能力，因为IBM根本没有10nm制程以下的晶圆厂。

也就是说，IBM的2nm芯片距离真正商用还有很长的时间。而且，IBM要借助芯片代工厂的力量。

不过尽管如此，IBM的这一成绩依然令人瞩目，希望IBM能早日推动2nm芯片的量产，带给众人全新的体验。