原标题:推动半导体产业发展,华微电子CCT MOS产品发布

作为功率半导体行业的龙头企业,为进一步降低产品导通电阻,丰富在电源领域的产品系列,华微电子CCT MOS产品正式发布,助力我国半导体产业发展。

CCT MOS即场耦合沟槽MOSFET(Couple Charge Trench Metal-Oxide-Semiconductor Effect Transistor),为低压TRENCH MOS的升级产品。CCT MOS在原理上利用电荷平衡效应(chrange coupling effect);在结构上采用屏蔽栅结构(SGT),即在TRENCH MOS基础上引入屏蔽栅结构。通过结构的改变,在相同耐压下,有更低的导通电阻。也是由于此结构,屏蔽栅使米勒电容减小,开关速度提高。前者使静态损耗降低,后者使动态损耗降低,进而总功耗更小。

华微电子CCT MOS产品技术上,包括芯片设计、终端、单胞、TRENCH、SGT。

利用CCT原理,采用深槽TRENCH结构,打破常规TRENCH结构电压和电阻的限制关系,相同电压条件下具有更低的电阻;利用CCT原理,在深槽TRENCH结构基础上采用SGT结构,使得米勒电容减少,开关速度提高,使得开关损耗大大减少;终端采用TRENCH结构,终端具有横向电场,耐压效果好,效率高,芯片面积更小。

华微电子CCT MOSFET产品所有功率器件均为自主研发和生产,产品电压范围为80V-150V,电流范围为60A-150A;主要产品包括TO-220、TO-220HF、TO-263、DPAK、IPAK、PDFN5*6、SOP-B等。

其中华微电子80V-100V CCT MOS产品具备如下特点:低栅极电荷、低RDSON;低功耗、高效率;良好的温度特性;高抗DV/dt能力;开关速度快。可应用于电源、电动车控制器、BMS等领域。

吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业,公司经科技部、中科院等国家机构认证,被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室。

公司总资产近55.73亿元,员工2000余人,技术人员占公司总人数的30%以上,占地面积40万平方米,建筑面积13.5万平方米,净化面积17000平方米,主要净化级别为0.3微米百级。公司于 2001 年3月在上海证券交易所上市,为国内功率半导体器件领域首家上市公司。

华微电子紧随市场发展,将积累多年的技术经验厚积薄发,引领技术前沿,开拓新兴领域。公司拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年500万片,封装资源为每年24亿只,模块每年1800万块。

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