財聯社（杭州，記者 汪斌）訊，產品優化產線滿產、產品綜合毛利率顯著改善，令士蘭微（600460.SH）2021年淨利有望創歷史新高，其業績增幅也位列目前A股半導體公司榜首。而公司持有的其他非流動金融資產增值也成爲另一關注點。1月21日晚間，財聯社記者從士蘭微獲悉，公司目前訂單飽滿，產能壓力較大，尤其是高端Mos管供不應求，無法滿足大客戶需求。

1月21日下午，士蘭微披露2021年年度業績預增公告，預計淨利比上年增加14.5億元-14.64億元，同比增長2145%-2165%。財聯社記者關注到，2021年士蘭微籌劃了股票期權激勵計劃，業績目標爲2021-2024四年的累積營收相比2020年將增長767%。

值得一提的是，2021年士蘭微淨利大增原因之一，是其持有的其他非流動金融資產增值較多。具體爲：安路科技於2021年11月在科創板上市，公司享有的淨資產份額按期末公允價值調整，導致淨利增加5.34億元；視芯科技2021年引入外部投資者，公司享有的淨資產份額按期末公允價值調整，導致淨利增加5229萬元。

對於業績預增原因，士蘭微表示，2021年公司基本完成了年初制定的產能建設目標，公司產品持續在白電、通訊、工業、光伏、新能源汽車等高門檻市場取得突破；電源管理芯片、MEMS傳感器、IPM（智能功率模塊）、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等產品營業利潤大幅度增加。需要指出的是，在備受關注的晶圓製造環節方面，2021年士蘭微控股子公司士蘭集昕8吋線基本保持滿產，實現全年盈利；另一控股子公司士蘭明芯LED芯片生產線也實現全年盈利。

財聯社記者關注到，近期有業內人士指出，市場對士蘭微未來業績的擔憂主要集中在：Mos降價和IGBT被碳化硅替代。對此，士蘭微相關負責人對財聯社記者表示，碳化硅在汽車應用上有一定的優勢，但目前成本非常高，短期內實現產業化困難較大，量方面滿足不了汽車的增長需求，所以IGBT是未來是主流，“如今IGBT性價比很高，且技術還在不斷提升，國際大廠包括英飛凌在內，都認爲IGBT和碳化硅未來是一個組合。”

產品矩陣豐富是士蘭微的主要優勢之一。前述公司相關負責人進一步表示，公司SiC功率器件的中試線已在2021年二季度實現通線，但相關技術的發展和成熟需要時間。此外，士蘭微也在加碼化合物半導體領域，計劃逐步實現控股相關平臺公司。

至於Mos降價，目前市場上主要集中在平面Mos和低壓Mos，超結Mos價格依舊堅挺。據瞭解，目前士蘭微Mos中超結Mos佔比已經超過50%，因此平面Mos和低壓Mos降價其影響會逐漸變小。

目前，多家半導體板塊企業已披露業績預告。觀察來看，半導體行業整體維持業績高增速，且上游設計和晶圓製造的增速要高於封測：

晶圓製造和設計企業中，華潤微（688396.SH）預計去年淨利約22.09億元-22.33億元，增幅爲1.29倍-1.32倍；力芯微（688601.SH）預估去年淨利1.6億元左右，增幅爲1.39倍左右；新潔能（605111.SH）預計去年淨利潤同比增長加192.78%-196.37%；主營芯片封測的晶方科技（603005.SH）預計，2021年淨利爲5.5億元-5.75億元，同比增長44.65%-50.67%；半導體設備環節的北方華創（002371.SZ）預計，去年淨利潤9.40億元-12.08億元，同比增長75%-125%。