ASML日前表示，目前的技術創新足夠將芯片製程推進至至少1納米節點，包括諸多前瞻技術。此外，光刻系統分辨率的改進（預計每6年左右縮小2倍）和邊緣放置誤差（EPE）對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小。從整個行業的發展路線來看，未來十年甚至更長時間內，技術創新將使摩爾定律繼續生效。