前言

消費電子產品、電子整機等市場體量在近幾年增長迅速,產業鏈對於 MOSFET 的需求也水漲船高。伴隨大功率快充技術的普及,電源廠商對 MOS 器件的耐壓、內阻等各維度性能也提出了更高的要求;而隨着汽車電氣化、5G 商用化進程的深入推進,市場對於 MOSFET 的需求也朝着多元化方向發展。

威兆TOLL封裝MOS新品問世

TOLL封裝適用於中低壓 MOS(耐壓40V~150V,電流300A max)、超結 SJ-MOS 的封裝,package 厚度 2.3mm,佔板面積 115m㎡。相比 TO-263-6L,TOLL佔板面積縮小30%,高度減小50%,節省了寶貴的 PCB 應用空間,而且熱阻更小從而散熱效率更高,封裝寄生電感更小,有助於降低生產成本和散熱解決方案成本、提高功率密度。

威兆半導體近期推出了9款採用 TOLL 封裝的 NMOS 產品,BVDSS(漏源擊穿電壓)有 40V、80V、100V、150V 可選,VGS 耐壓達 ±20/25V,ID(漏極電流)涵蓋 100A~325A。

威兆 VSK002N10HS-G 是一款漏源擊穿電壓 100V 的N溝道 MOS,採用 TOLL 封裝,VGS 耐壓 ±25V,Vth 爲 2.1~3.1V,漏極電流最高 325A,VGS 爲 10V時導通電阻 RDS(on) 典型值爲 1.7mΩ,適用於 USB PD 電源、電池保護、電機控制等應用場景。

威兆 VSK009N15HS-G 是一款漏源擊穿電壓 150V 的N溝道 MOS,採用 TOLL 封裝,VGS 耐壓 ±25V,Vth 爲 2.6~3.6V,漏極電流最高 100A,VGS 爲 10V時導通電阻 RDS(on) 典型值爲 9.2mΩ,適用於通信電源、電池保護、電機控制等應用場景。

充電頭網總結

威兆半導體此次採用的 TOLL 封裝,相比 TO-263-6L 封裝不僅有着更小的體積和佔板面積,而且具備低封裝寄生和電感效應,以及出色的 EMI 表現和熱性能;TOLL 封裝擁有可焊側翼,可以很好滿足高安全性和高可靠性的大功率應用場景。

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