3月8日，ASML發表聲明回應荷蘭政府即將出臺的半導體設備出口管制措施。ASML稱，這些新的出口管制措施側重於先進的芯片製造技術，包括最先進的沉積設備和浸潤式光刻系統，ASML將需要申請出口許可證才能發運最先進的浸潤式DUV系統。ASML強調，這些管制措施需要一定時間才能付諸立法並生效。

3月9日，外交部例行記者會上，有媒體提問，據報道，荷蘭外貿與發展合作大臣施賴納馬赫爾向荷議會致函稱，出於國家安全考慮，荷蘭將於今年夏天之前對其芯片出口實施限制性措施。中方對此有何評論？

外交部發言人毛寧表示，中方注意到有關報道，對荷方以行政手段干預限制中荷企業正常經貿往來的行爲表示不滿，已向荷方提出交涉。

01 EUV與DUV的分類

目前的光刻機主要分爲EUV光刻機和DUV光刻機，二者的最大的區別在光源方案。

DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者採用極紫外光刻技術，後者採用深紫外光刻技術。

EUV的光源波長爲13.5nm，但最先進DUV的光源波爲193nm，較長的波長使DUV無法實現更高的分辨率，因此DUV只能用於製造7nm及以上製程的芯片。

EUV是未來光刻技術和先進製程的核心。爲了追求芯片更快的處理速度和更優的能效，需要縮短晶體管內部導電溝道的長度，而光刻設備的分辨率決定了IC的最小線寬。因此，光刻機的升級就勢必要往最小分辨率水平發展。光刻機演進過程是隨着光源改進和工藝創新而不斷發展的。EUV作爲5nm及更先進製程芯片的剛需，覆蓋了手機SoC、CPU、GPU、1γ工藝DRAM等多種數字芯片，譬如蘋果的A15、高通的Gen1及以後系列芯片等。

從兩種光刻機的市場應用來看，EUV光刻機是芯片行業目前最尖端的技術，主要用於生產5nm及以下的芯片，這些芯片主要用來生產蘋果、高通、三星等手機及平板處理器，也主要集中在消費領域；其他60%以上的工業還不需要5nm及以下的芯片製程和技術，這類芯片主要由DUV光刻機生產，覆蓋大部分的圖像傳感器、功率IC、MEMS、模擬IC以及邏輯IC等。

02 光刻機的起步

1961年，美國GCA公司製造出了第一臺接觸式光刻機。關於中國最早的光刻機，有一種說法是1966年，中國科學院微電子研究所的前身——109廠與上海光學儀器廠協作，研製成功中國第一臺65型接觸式光刻機。

70年代初，美日等國分別研製出接近式光刻機，而中國卻一直停留在接觸式光刻機。

1977年，江蘇吳縣舉行了全國性的光刻機座談會，明確要改進光刻設備，儘快趕超世界先進水平。於是清華大學精密儀器系、中電科45所等先後投入研製更先進的光刻機。隨後在1985年，中電科45所研製出的分步式投影光刻機，通過電子部技術鑑定：達到美國GCA在1978年推出的4800DSW光刻機水平。當時，ASML纔剛剛誕生。

如此來看，國產光刻機還算是擁有一個還不錯的起點。然而由於中國半導體產業整體力量太薄弱，在擴大對外開放的背景下，“造不如買”的思潮迅速蔓延全國。因此，國產光刻機雖然研發出來，卻沒有很好的下游應用市場，無法真正走上市場和商業化的道路，只能停留在實驗室研究階段。

此後的二三十年，這種現實愈演愈烈，中國光刻機對外的差距也越來越大。在缺芯少魂的擔憂下，中國喊出了“砸鍋賣鐵也要研製芯片”的口號。在中國必須掌握集成電路的主動權的戰略重視下，國產光刻機重新艱難起步。

2002年，光刻機被正式列入“863重大科技攻關計劃”。2008年，國家又成立“極大規模集成電路製造裝備與成套工藝專項”（02專項），以建立自主的高端光刻技術和產業發展能力作爲重大、核心的戰略目標。

經過將近20年的攻關，光刻機的集成技術終於完成從0到1的關鍵突破，在雙工作臺、光學系統、物鏡系統、光源系統方面均有企業相繼研發成功。

在光源方面，中國科益虹源公司自主研發設計生產的首臺高能準分子激光器，以高質量和低成本的優勢，填補中國在準分子激光技術領域的空白，其已完成了6kHZ、60w主流ArF光刻機光源製造。

在光學鏡頭方面，儘管與卡爾蔡司、尼康等公司還有非常大的差距，但2020年奧普光學曾在互動平臺表示，公司生產的Caf2光學晶體應用範圍較廣，客戶可根據實際需求進行二次開發，產品可以用於光刻機的光學系統中。不過，去年7月，奧普光電在互動平臺表示，公司目前沒有產品用於光刻機項目。

在光刻機整機生產（中游）方面，上海微電子是國內技術最領先的光刻設備廠商，其90納米的光刻機已獲得突破。

中國光刻機的製造力量正在不斷加強，然而目前中 國的光刻機量產能力只有90nm，中國在實現更先進的芯片製造中仍然困難。與此同時，在光刻機進口道路上同樣暗潮湧動。先是在2019年，美國限制ASML研發的最先進EUV設備銷往中國。如今更進一步，似乎對DUV的出口也要作出新的限制。 

03 國產光刻機的行軍難

回到本次討論的DUV上。ASML強調：“新出口管制並不適用於所有的浸入式光刻工具，而只適用於所謂‘最先進的’”。另外ASML還指出，先進程度相對較低的浸潤式光刻系統已能很好滿足成熟製程爲主的客戶的需求。

由於DUV光刻機中的浸潤式光刻機分很多種型號，有些只能生產14nm以上工藝，有些能夠生產最高7nm工藝。所以浸潤式光刻機，究竟哪些能夠賣，哪些不能賣，就成爲了大家最關注的問題。

目前ASML浸潤式的光刻機主要有三種型號，分別是TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。由於沒有收到明確定義，ASML將“最先進”解讀爲“TWINSCAN NXT:2000i及後續浸沒式系統。”

根據ASML的解讀，其NXT:2000i及之後的浸沒式光刻系統將會受到出口限制。這也意味着，NXT:1980Di仍將可以出口，即國內大量採用NXT:1980Di進行成熟製程製造的晶圓廠將不會受到影響。

一方面，根據ASML官網的數據，TWINSCAN NXT:1980Di的分辨率是大於等於38nm，數值孔徑是1.35NA，每小時可以生產275片晶圓。目前這臺浸潤式光刻機，普遍用於14nm及以上的芯片製造。理論上NXT:1980Di依然可以達到7nm，只是步驟更爲複雜，成本更高，良率可能也會有損失。足以見得，主要的成熟芯片的生產並未受到影響。

另一方面，中國擁有ASML難以放棄的廣闊市場。根據ASML財報，2022年該公司共出貨345臺光刻設備產品，其中有81臺浸沒式DUV光刻機（ArFi），佔比爲23%。所有產品中，42%銷往中國臺灣，29%銷往韓國，14%銷往中國大陸，銷往美國的只有7%。

高端光刻機集合了全球各國最頂尖的科技，如：德國的蔡司鏡頭技術、美國的控制軟件和光源 、日本的特殊複合材料等，下游廠商爲了獲得優先供貨權紛紛投入鉅額資金支持ASML研發。所以，國產光刻機的突圍並非易事。目前，國產的深紫外線光刻機正處於研發的關鍵進程之中。在這背後，包括上海微電子在內的多位國產玩家正在攻關。

在ASML的通路受阻之後，中國企業採購DUV光刻機的通路，還剩下尼康和佳能。目前，日本也尚未表明態度。未來向外採購這條道路將會變得越來越不確定。在這種情況下，自主研發光刻機的提速將變得愈發迫切。

中國龐大的半導體市場需求擺在這裏，市場需求必然會驅動技術創新去逐步攻克光刻機技術。但目前關於國產光刻機和芯片等研發的進程，都是在實驗室的數據中，真正能落實到量產和生產線的，還會有很懸殊的路要走，才能最終落地。

除了加大力量研發光刻機之外，中國還在嘗試其他芯片路線。比如光芯片，量子芯片等等，在最近幾年已經取得了一定突破，目前中國已經有不少企業申請了量子芯片技術相關專利，如果未來量子芯片能夠得到應用，這將有利於我們減少對傳統硅基芯片的依賴。

未來的路，道阻且長。

本文來自微信公衆號“半導體產業縱橫”（ID:ICViews），作者：豐寧，36氪經授權發佈。