IT之家 3 月 4 日消息,据 TheElec,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺,与 TC NCF 相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。

经过测试,该公司得出结论,MUF 不适用于高带宽内存 (HBM),但非常适合 3DS RDIMM,而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造,主要用于服务器。

MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。

在此之前,三星已经在其现有的注册双列直插式内存模块(RDIMM)中使用了热压非导电膜(TC NCF)技术,而 MUF 是 SK 海力士用于制造高带宽内存(HBM)的技术(具体来说是 Mass Re-flow Molded Underfill,简称 MR-MUF)。

IT之家查询发现,MUF 是一种环氧树脂模塑化合物,自从着 SK 海力士成功将其应用于 HBM 生产后便在芯片行业愈发受关注,业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。

资料显示,SK 海力士所使用的化合物是与 Namics 合作开发的,而消息人士称三星则计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物,目前已经订购了 MUF 应用所需的模压设备。

三星是世界最大的存储半导体龙头企业,如果三星也引入 MUF,那么 MUF 可能会成为主流技术,半导体材料市场也会发生巨大的变化,不过三星电子相关人士对此回应称“无法确认内部技术战略”。

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