日前，消息称合肥长鑫存储DRAM项目正式投片，启动试产8Gb DDR4工程样品。这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片。

合肥长鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。

根据之前长鑫存储、睿力集成电路的规划：2018年1月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

另外，兆易创新16日晚间公告，董事会收到公司总经理朱一明的书面辞职信。朱一明因工作需要辞去公司总经理职务，仍继续担任公司董事长及董事会相关专业委员会职务。

兆易创新表示，朱一明所负责的工作已平稳交接，其辞职不会对公司的生产经营产生重大不利影响。另经董事会审议通过，决定聘任何卫为公司代理总经理。

据悉，朱一明将接任合肥长鑫存储及睿力CEO，担任合肥长鑫存储及睿力CEO经过合肥有关单位、大基金批准，未来将会全职投入职位，持续研发、持续投入，并“在项目盈利之前，不领取一分钱薪酬和奖金。”

2017年，兆易创新大动作宣布与合肥产投(合肥产业投资控股(集团)有限公司)签署为期五年协定，双方将在合肥经济技术开发区合作开展19nm制程存储器，专案预算共计人民币180亿元。

兆易创新和合肥的合作，将会给兆易创新的“DRAM梦”提供一个新的机遇，这个机遇首先包括：将为合肥经济技术开发区空港经济示范区内开展19nm制程的12吋晶圆存储器(含DRAM等)研发，目标是在2018年12月31日前研发成功，并实现产品良率不低于10%。

其次，关于资金方面，项目所需投资由兆易创新与合肥产投根据1:4的比例负责筹集。

第三，关于项目产能的约定，要求项目研发及生产的DRAM产品优先供给兆易创新销售并满足其客户市场需求，价格参照市场行情且给予最佳优惠。专案也将优先承接兆易创新DRAM产品的代工需求，为该公司设计产品的投片、生产提供支援与便利。

也就是说，兆易创新与合肥长鑫睿力背后的大股东合肥产投从技术研发，到产能需求，再到资金筹集，这三大方面都深深“绑定”在一起。

相关简历：

何卫，男，1967 年生，中国国籍，无境外永久居住权，清华大学硕士。曾先后任北京微电子技术研究所集成电路部副主任，中芯国际北京销售部副处长，2009 年加入兆易创新，担任公司副总经理。

朱一明，男，1972年生，中国国籍，无境外永久居住权，清华大学本科、硕士，美国纽约州立大学石溪分校硕士，1997年7月-1998年7月任职北京安美消防技术服务公司；1998年8月-2000年5月纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；2000年6月-2001年5月iPolicy Networks Inc.任资深工程师；2001年6月-2004年11月 Monolithic System Technologies Inc.任项目主管；2005年4月-至今北京兆易创新科技股份有限公司任董事长。