日前，消息稱合肥長鑫存儲DRAM項目正式投片，啓動試產8Gb DDR4工程樣品。這將是第一個中國自主研發的DRAM芯片。

合肥長鑫CEO王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經於2018年1月建設完成，設備也開始安裝。

根據之前長鑫存儲、睿力集成電路的規劃：2018年1月一廠廠房建設完成，並開始設備安裝；2018年底量產8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產8Gb LPDDR4；2019年底實現產能2萬片/月；2020年開始規劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發。

另外，兆易創新16日晚間公告，董事會收到公司總經理朱一明的書面辭職信。朱一明因工作需要辭去公司總經理職務，仍繼續擔任公司董事長及董事會相關專業委員會職務。

兆易創新表示，朱一明所負責的工作已平穩交接，其辭職不會對公司的生產經營產生重大不利影響。另經董事會審議通過，決定聘任何衛爲公司代理總經理。

據悉，朱一明將接任合肥長鑫存儲及睿力CEO，擔任合肥長鑫存儲及睿力CEO經過合肥有關單位、大基金批准，未來將會全職投入職位，持續研發、持續投入，並“在項目盈利之前，不領取一分錢薪酬和獎金。”

2017年，兆易創新大動作宣佈與合肥產投(合肥產業投資控股(集團)有限公司)簽署爲期五年協定，雙方將在合肥經濟技術開發區合作開展19nm製程存儲器，專案預算共計人民幣180億元。

兆易創新和合肥的合作，將會給兆易創新的“DRAM夢”提供一個新的機遇，這個機遇首先包括：將爲合肥經濟技術開發區空港經濟示範區內開展19nm製程的12吋晶圓存儲器(含DRAM等)研發，目標是在2018年12月31日前研發成功，並實現產品良率不低於10%。

其次，關於資金方面，項目所需投資由兆易創新與合肥產投根據1:4的比例負責籌集。

第三，關於項目產能的約定，要求項目研發及生產的DRAM產品優先供給兆易創新銷售並滿足其客戶市場需求，價格參照市場行情且給予最佳優惠。專案也將優先承接兆易創新DRAM產品的代工需求，爲該公司設計產品的投片、生產提供支援與便利。

也就是說，兆易創新與合肥長鑫睿力背後的大股東合肥產投從技術研發，到產能需求，再到資金籌集，這三大方面都深深“綁定”在一起。

相關簡歷：

何衛，男，1967 年生，中國國籍，無境外永久居住權，清華大學碩士。曾先後任北京微電子技術研究所集成電路部副主任，中芯國際北京銷售部副處長，2009 年加入兆易創新，擔任公司副總經理。

朱一明，男，1972年生，中國國籍，無境外永久居住權，清華大學本科、碩士，美國紐約州立大學石溪分校碩士，1997年7月-1998年7月任職北京安美消防技術服務公司；1998年8月-2000年5月紐約州立大學石溪分校電子工程系碩士；2000年6月-2001年5月iPolicy Networks Inc.任資深工程師；2001年6月-2004年11月 Monolithic System Technologies Inc.任項目主管；2005年4月-至今北京兆易創新科技股份有限公司任董事長。