圖1、東芝開始出貨用於快速充電的MOSFETS器件

新型TCK401G（高電平）和TCK402G（低電平）電荷泵驅動器IC適用於與具有低RDS（on）的N溝道MOSFET配合使用的大電流移動充電應用。驅動器IC支持多種內置安全功能，包括過壓保護，浪湧電流降低和自動輸出放電等。

圖2、新型TCK401G（高電平）和TCK402G（低電平）MOSFET

該器件採用範圍爲2.7V至28V DC的輸入電壓工作，僅需要消耗121μA的靜態電流（IQ）。柵極電壓（VGATE）的開關時間分別爲0.58ms（ON）和16.6μs（OFF）。

圖3、封裝形式

電源電路可以通過使用具有一個或者兩個外部N溝道MOSFET的新驅動器來實現，該外部N溝道MOSFET具有適用於預期應用中的最大額定電壓和導通電阻。

圖4、內部框圖

例如，TCK40xG驅動器IC和低導通電阻SSM6K513NU MOSFET的組合適用於移動或者消費類應用，因爲它能夠以緊湊的佔位面積來構建高達100W功率的電源。

圖5、定時信息

圖5、定時信息

它們採用WCSP6E封裝形式，尺寸爲0.8mm×1.2mm×0.55mm。

（完）