堅果R1的皇帝版8G+1T ROM配置賺足了眼球，藉助於當代64層堆疊3D閃存，單芯片封裝1T閃存顆粒得以問世，這才讓手機達到了移動硬盤級的容量。

不過很快手機閃存的容量還將刷新記錄，預計明年年初就將有1.5T閃存顆粒。推動容量上升的是3D閃存的堆疊層數。東芝預計96層3D閃存就可以提供768Gb的單晶粒容量，輔以疊Die技術即可實現單顆1.5T的閃存。

最近在日本舉行的國際存儲研討會上，來自應用材料公司的Sean Kang介紹了未來3年內3D閃存的技術演進路線。今年年底實現90層以上堆疊，到2020年實現大於120層堆疊，2021年可實現大於140層堆疊。

當然就如同平地建起的大廈一樣，沒有牢固的根基是無法穩定的拔地而起。隨着堆疊層數的增加，3D閃存堆疊高度增長將會給蝕刻技術帶來挑戰。爲應對這一挑戰需要壓減3D閃存中字線和絕緣膜的厚度，抑制閃存單元堆疊高度的升高速度。

要壓減高度的目的，需要在材料和工藝上取得新的突破。而日本恰恰在基礎材料研發上擁有優勢，就我們所知的英特爾年度供應商獎名單中，提供材料技術支持的日本企業佔據半壁以上江山。

就目前的計劃來看，閃存製造企業需要克服工藝與材料瓶頸，將字線與絕緣的疊層高度從70nm一步步壓低到45-50nm，才能實現大於140層的堆疊高度。除此之外，英特爾/美光已經在他們的第二代64層堆疊3D閃存中應用了CuA（CMOS under Array）技術，這有可能成爲未來3D閃存的標配，它是將外圍電路置於存儲單元陣列之下，進一步提升存儲密度。據美光透露，該技術在64層堆疊水平下可提供高達25%的空間節省率，這意味着更低的單位容量成本和更大的閃存容量。