半導體設備貿易集團SEMI的數據顯示，2018年全球芯片製造(晶圓廠)裝備支出將增加14%至628億美元，預計2019年將增長7.5%至675億美元。

這是一個大問題，因爲尖端晶圓廠(芯片製造工廠的縮寫)的成本飆升至超過100億美元，並且該行業在繼續推進摩爾定律方面遇到了挑戰，即每隔幾年，芯片的晶體管數量增加一倍。

根據SEMI今日發佈的最新世界晶圓廠預測報告，SEMI表示，2019年將是該行業歷史上連續第四年的支出增長和晶圓廠設備投資最高的年度。新晶圓廠建設投資也接近創紀錄水平，預計連續第四年增長，明年資本支出接近170億美元。

預測顯示，隨着衆多新晶圓廠的出現顯著增加了設備需求，晶圓廠技術和產品升級以及額外產能的投資將會增加。

世界晶圓廠預測報告目前追蹤78個新工廠和線路已經開始或將在2017年至2020年開始建設，最終將需要超過2200億美元的晶圓廠設備。在此期間，這些晶圓廠和生產線的建設支出預計將達到530億美元。

預計韓國將以630億美元領先其他地區的晶圓廠設備投資，僅比第二名中國高出10億美元。預計中國臺灣地區將以400億美元獲得第三名，其次是日本220億美元，美洲150億美元。歐洲和東南亞將共享第六名，每項投資總額爲80億美元。這些晶圓廠中約有60%將服務於存儲器領域(其中最大的部分將是3D NAND閃存，用於存儲在智能手機和數據中心)，還有三分之一將用於代工或合同芯片製造。

據報道，3D NAND閃存的容量將增加最多，2018年增長41%，2019年增長27%。2018年，鑄造產能增長穩定在3%，2019年爲6%;200m芯片產能今年將增長4%，2019年增長3%

在2017年至2020年開工建設的78個晶圓廠建設項目中，59個在前兩年(2017年和2018年)開始建設，而預計19個在跟蹤期的最後兩年(2019年和2020年)開始建設。

SEMI表示，裝配一個新工廠通常需要一到一年半的時間，儘管一些工廠需要兩年時間而其他工廠需要更長時間，這取決於公司、工廠規模、產品類型和地區等各種因素。預計2200億美元中約有一半將用於2017年和2020年，2017年和2018年投資不到10%，2019年和2020年投入近40%，其餘則在2020年之後。

從新工廠/建築開支來看，2018年，有72個建設項目，投資總額達150億美元，同比增長23%。建築支出將達到歷史最高水平，中國在2018年繼續領先70億美元，打破了另一項紀錄;之前的地區記錄是韓國的30億美元。中國的建築支出預計將在2019年超過40億美元，但預計韓國明年將花費近60億美元。

2018年的大部分建築支出將用於內存(略低於90億美元)，主要用於3D NAND閃存，其次是DRAM。第二，建築支出是鑄造工廠(略低於50億美元)

雖然2200億美元的估計是基於已知和宣佈的晶圓廠計劃的當前見解，但總支出可能會超過這個水平，因爲許多公司繼續宣佈新晶圓廠的計劃。自上季度報告發布以來，已有18條新記錄——所有新工廠 —— 都被添加到預測中。

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