6月30日晚間，紫光集團發佈公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業羣，全力加速發展國產內存。根據通知，紫光集團將委任刁石京爲紫光集團DRAM事業羣董事長，委任高啓全爲紫光集團DRAM事業羣CEO。

根據資料顯示，刁石京曾任工信部電子信息司司長，工信部電子信息司是中國集成電路產業的具體主管司局，刁石京是一位專家型官員，早年畢業於清華大學，長期在工信部電子信息司工作，是中國集成電路領域的資深人士。2018年初，刁石京加入紫光集團，協助紫光集團董事長趙偉國分管集成電路業務，目前還擔任紫光國微董事長和紫光展銳執行董事長，也是紫光集團旗下長江存儲的執行董事。

高啓全有“臺灣存儲教父”之稱，曾在Intel工作，還曾在韓國及日本當顧問，曾任現代電子（海力士前身）DRAM顧問。他早年追隨張忠謀回臺灣，加入臺積電任一廠廠長，後創辦旺宏電子，還曾任臺灣DRAM公司南亞科總經理和華亞科董事長，是華人在全球DRAM界最資深的人士。2015年，高啓全受紫光集團董事長趙偉國之邀，北上加入紫光集團，出任紫光集團全球執行副總裁；2016年長江存儲成立後，擔任長江存儲的執行董事、代行董事長。

據知情人透露，紫光集團早在2015年即開始佈局DRAM，延攬高啓全加入紫光集團就是佈局的開始，在高啓全加入紫光集團的同時，紫光國微（原名同方國芯）收購了任奇偉團隊所創辦的公司（現在的西安紫光國芯），任奇偉團隊的前身是奇夢達公司的西安研發中心，任奇偉團隊一直從事DRAM的研發工作，目前團隊人數約500人，從紫光國微的年報披露情況看，該團隊的DRAM產品銷售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產品自行設計，在境外代工。2015年，紫光集團還試圖通過收購美光進入DRAM和3D NAND領域，但收購美光受到美國政府的阻擊，未能如願以償。

不過，目前全球的存儲芯片三巨頭，三星、海力士、美光，都是既做DRAM又做3D NAND。據知情人透露，紫光集團在收購美光遇阻後，原計劃通過自行研發先進入DRAM領域，然後再進入3D NAND，但在國家集成電路產業基金的協調下，紫光和湖北省、武漢市合作，與國家集成電路產業基金一起，在武漢新芯的基礎上，組建了長江存儲，制定了先三維閃存，後DRAM的戰略，同時佈局DRAM的研發，積蓄DRAM的工藝人才。

據知情人透露，紫光集團藉助長江存儲和武漢新芯的平臺，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工藝研發人員，工藝研發人員人數近2000人。目前長江存儲和武漢新芯的員工人數近6000人。

據瞭解，目前長江存儲的32層3D NAND已經量產，並且即將於今年年底量產的64層Xtacking 3D NAND，其存儲密度僅比競品96層的3D NAND低10~20%。而下一代，長江存儲將直接跳過96層堆疊，直接進入128層堆疊的研發。

從紫光集團旗下長江存儲的3D NAND閃存的研發和生產來看，紫光集團走的是公開式的自主研發路徑，沒有人質疑其知識產權問題，這主要是因爲NAND閃存技術正從2D走向3D這也使得其得以有彎道超車的可能。

相比之下目前DRAM技術已經是相當成熟，想要繞過國外DRAM巨頭的技術並不容易。

所幸的是，2009年破產的德國DRAM廠商奇夢達，其西安研發中心當時已經被西安華芯（原浪潮集團旗下公司，今天的紫光國芯）收購。這也爲紫光的DRAM的研發奠定了基礎（此前，長鑫存儲公開其DRAM技術來源也是奇夢達，因此外界認爲是紫光與長鑫存儲共享了該技術），同時也能夠避免一些專利問題。

但是，需要指出的是，奇夢達此前所採用的是DRAM技術是深溝槽式（Trench），而目前主流的技術路線是堆棧式（Stack）。在溝槽式DRAM的製造中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然後在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然後在電容器上方再製造出柵極，構成完整的DRAM Cell。這種工藝最大的技術挑戰有二，一是隨着線寬越來越細，溝槽的寬深比跟着增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當大的技術挑戰。其次，在進行沉積工藝時，由於溝槽的開口越來越細，要在溝槽裏面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來越難。相較之下，堆棧式DRAM則沒有上述問題。

如果紫光DRAM繼續沿着奇夢達的技術路徑向前推進的話，顯然將會非常的艱難，但是如果走堆棧式技術路徑的話，可能又將遭遇國外DRAM廠商的專利圍堵，那麼在奇夢達技術的基礎上，紫光是否能夠通過自主研發，走出新的路徑呢？我們拭目以待。

編輯：芯智訊-林子