羣聯電子董事長潘健成19日表示，“NAND Flash控制芯片進入非常昂貴的1x納米等級的晶圓製造階段、加計3D NAND驗證成本高於2D，從相關控制芯片設計業者的角度來看，這產業已經高高築起了進入障礙。”

潘健成表示，NAND Flash正式進入3D製程發展，其相關控制芯片的晶圓製造製程則在近兩年正式進入1x納米時代，因此NAND Flash控制芯片的設計愈加複雜、所需要運用的人力資源等耗費遠遠高於過去。

以羣聯所開發出來的SSD控制芯片PS5012-E12來看，該顆芯片在研發人力、時間、設計工具、晶圓先進製程光罩費、3D NAND驗證費…等等資源全數換算爲可被評價的費用，總計超過1.55億人民幣，相較18年前羣聯初創業時的環境所需投入成本的多了好幾倍。

當今快閃存儲器的現況，對控制芯片設計業者而言，除了上述的軍備戰的競爭形成技術進入障礙，另一方面，NAND Flash製造之國際原廠相繼提高自給設計的控制芯片案量，因此整體市場獨立芯片廠的控制芯片的市場規模的成長幅度是低於儲存容量需求的成長率。

所以，控制芯片取得的獲利也變薄、這對剛剛要跨入快閃存儲器IC設計這一行業者而言，是進入門檻被墊高。簡而言之，潘健成強調，今天若只賣IC，這生意不好做，要賺錢變得更困難。

來源：鉅亨網

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