"\u003Cdiv\u003E\u003Cdiv class=\"pgc-img\"\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp1.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002Fbf2348850286473087b192634ddd47b6\" img_width=\"500\" img_height=\"500\" alt=\"齐纳二极管与齐纳击穿\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp class=\"pgc-img-caption\"\u003E\u003C\u002Fp\u003E\u003C\u002Fdiv\u003E\u003Cp\u003E\u003Cstrong\u003E齐纳二极管\u003C\u002Fstrong\u003E 稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的\u003Cstrong\u003E半导体\u003C\u002Fstrong\u003E器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准\u003Cstrong\u003E元件\u003C\u002Fstrong\u003E使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E\u003Cstrong\u003E原理\u003C\u002Fstrong\u003E\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E 稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E\u003Cstrong\u003E齐纳击穿\u003C\u002Fstrong\u003E 当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价\u003Cstrong\u003E电子\u003C\u002Fstrong\u003E直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。这种击穿通常称为齐纳击穿。齐纳击穿发生在掺杂浓度很高的PN结上，同时在此较低的外加电压时就会出现这种击穿。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E当反向电压增大到一定程度时，空间电荷区内就会建立一个很强的电场。这个强电场能把价电子从共价键中拉出来，从而在空间电荷区产生大量电子-空穴对。这些电子-空穴对产生后，空穴被强电场驱到P区，电子被强电场驱到N区，使反向电流猛增。这种由于强电场的作用，直接产生大量电子-空穴对而使反向电流剧增的现象叫做齐纳击穿。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E 齐纳击穿常发生在掺杂浓度比较高的PN结中，因为此时空间电荷层比较薄，一个很小的反向电压就可以在空间电荷区内建立一个很强的电场（通常高达108V\u002Fcm）。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E 当温度升高时，电子热运动加剧，较小的反向电压就能把价电子从共价键中拉出来，所以温度上升时，击穿电压下降，也就是说，齐纳击穿具有负的温度系数。\u003C\u002Fp\u003E\u003C\u002Fdiv\u003E"'.slice(6, -6), groupId: '6715174881127825928