摘要：\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp3.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOs5dkjWsw\" img_width=\"600\" img_height=\"338\" alt=\"臺積電計劃2022年量產3nm工藝 已有客戶參與開發\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E三星此前曾披露，將在3nm工藝節點使用基於納米片(nano-sheet)的環繞式柵極(Gate-All-Around) MBCFET晶體管結構，工藝節點簡稱3GAAE。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp9.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOa5ZHbFEk\" img_width=\"600\" img_height=\"450\" alt=\"臺積電計劃2022年量產3nm工藝 已有客戶參與開發\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E事實上，臺積電的3nm工藝仍在早期研發階段，臺積電沒有給出任何技術細節以及性能、功耗指標，比如比性能與5nm工藝相比提升多少、功耗可以降低多少等。

"\u003Cp\u003E在半導體制造方面，臺積電近幾年憑藉激進的風格，取得了非常不錯的效果。第一代7nm工藝在2018年開始量產，新一代的7nm EUV工藝也在上半年開始量產，5nm工藝很快就會上馬，3nm工藝也越來越近了。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E臺積電CEO兼聯席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術研發非常順利，已經有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術定義，3nm將在未來進一步深化臺積電的領導地位。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp9.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOa5ZHbFEk\" img_width=\"600\" img_height=\"450\" alt=\"臺積電計劃2022年量產3nm工藝 已有客戶參與開發\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E事實上，臺積電的3nm工藝仍在早期研發階段，臺積電沒有給出任何技術細節以及性能、功耗指標，比如比性能與5nm工藝相比提升多少、功耗可以降低多少等。臺積電只是表示，3nm是一個全新的工藝節點，而不是5nm的改進版。考慮到臺積電必須在新工藝上保持足夠的競爭力，而且強調過3nm是全新的，所以必然也會有新的架構、技術、材料等。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cp\u003E臺積電計劃在2022年就量產3nm工藝，臺積電表示已經評估了3nm工藝所有可能的晶體管結構設計，並與客戶一起得到了非常好的解決方案，具體規範正在進一步開發中，公司有信心滿足大客戶們的所有要求。臺積電5nm工藝使用了14個EUV極紫外光刻層，3nm上應該會使用更多，但仍可能繼續保留DUV深紫外光刻技術，混合使用。\u003C\u002Fp\u003E\u003Cimg src=\"http:\u002F\u002Fp3.pstatp.com\u002Flarge\u002Fpgc-image\u002FRXDeQOs5dkjWsw\" img_width=\"600\" img_height=\"338\" alt=\"臺積電計劃2022年量產3nm工藝 已有客戶參與開發\" inline=\"0\"\u003E\u003Cp\u003E三星此前曾披露，將在3nm工藝節點使用基於納米片(nano-sheet)的環繞式柵極(Gate-All-Around) MBCFET晶體管結構，工藝節點簡稱3GAAE。從14nm開始的FinFET晶體管結構將會被正式放棄。\u003C\u002Fp\u003E"'.slice(6, -6), groupId: '6717502695231455752