一般我們在選擇內存的時候都會關注容量、頻率，大容量和高頻率固然是選擇標準之一。但是往往忽略了“時序”這個重要的因素，保持高頻率在低延遲的狀態下穩定運行，而一顆高性能的DRAM顆粒，就是決定內存延遲高低最重要的因素。

　　高性能DRAM顆粒中，三星B-die是最出名、最優秀的顆粒，所以市面上優秀的高頻內存大都採用三星B-die，例如影馳的HOF系列、芝奇的幻光戟系列、海盜船鉑金統治者系列。

　　那麼爲什麼高頻內存都選擇用三星B-die呢？和其他品牌的DRAM顆粒相比它有哪些優勢？這就要分析最常見的幾個品牌顆粒：

　　【sk海力士（SK Hynix）顆粒】

　　sk海力士的MFR和AFR IC峯值頻率一般維持在3200-3333MHz（20%左右良率），60%良率集中在3000MHz；如果想超頻到3600-4000MHz，需要加壓到2V左右，時序中第一時間才能達到12，但是後兩個時序（tRCD和tRP）則必須在16-18之間。

　　【鎂光（Micron）顆粒】

　　鎂光20nm製程的IC量產頻率峯值可以達到3333-3466MHz（20%左右良率），3000MHz的良率在50%左右，極限超頻上暫時沒有驚豔之處。

　　【三星（SAMSUNG）顆粒】

　　三星的B-DIE IC以高頻穩定的特點，聲名在外。在極限超頻時CAS（CL）、TRCD、TRP三個時序完全同步，能夠保持時序C12-12-12運行在3866-4300MHz或更高頻率。