英特爾在業內批量攬才，先後挖來了 Jim Keller、Raja Koduri 和 Murthy Renduchintala 等技術大牛，這讓英特爾的技術實力如虎添翼。近日英特爾（Intel）聘請了前格芯（GlobalFoundries）CTO、前 IBM 微電子業務主管 Gary Patton 博士。

Gary Patton 博士在半導體工藝方面造詣深厚，早些年就在 IBM 挑大樑，2015 年 GF 收購了 IBM 晶圓製造業務，他也隨即進了 GF，擔任 CTO，一直負責尖端工藝的研發。但格芯去年宣佈放棄 10nm 以下工藝研發，並專注於利潤更高的 14/12nm 工藝和其他特色工藝，公司的戰略改變直接導致了一批傳統高層技術人員外流，Gary Patton 也是其中之一。

獲悉，此次 Gary Patton 在英特爾將擔任企業副總裁、設計實現總經理，負責建設生態系統、部署特定工藝，以及處理器設計套件開發(PDK)、IP、工具等，促成新工藝滿足預設的性能、成本、上市時間需求。

目前來說，在晶圓廠之戰已變爲“三分天下”的格局，這三家分別是英特爾、臺積電、三星。

英特爾方面，日前報道中爆料的 2 年一更新的製程之路來說，雖然這是一個烏龍事件，但這是第一個被 ASML 爆料出的 1.4nm 工藝。當然，英特爾還強調了在每個流程節點之間，將會有迭代的+和++版本，以便從每個流程節點提取性能。但在 EUV 方面，仍然需要至 2021 年纔會上 EUV 設備。

臺積電方面，衆所周知在 EUV 工藝上屬於“熟練掌握”的玩家，誠然晶圓廠在標註製程方面通常也會使用一些技巧導致臺積電 7nm 工藝與英特爾 10nm 工藝性能並無二異。但單純從數字上面來看，目前臺積電已在 5nm 方面進入量產倒計時，3nm 與 2nm 已提上了日程並且遠比英特爾要早。不過有了之前的經驗，或許性能方面仍然不會有差別。

三星方面，則穩紮穩打，從 14nm、10nm、7nm、3nm 四個主要節點進行規劃，而在 3nm 節點以後，三星要放棄 FinFET 轉向 GAA 晶體管，3GAE 工藝和 3GAP 工藝的優化改良之路還遠矣。

半導體行業對頂尖人才的要求非常高，往往是一個領頭人帶着一個大團隊披襟斬棘最終取得成功。正是因爲如此，英特爾對於頂尖人才的追求才會如此積極。而且摩爾定律的 2 年一更新仍然在持續之中，而如若走在在 1nm 製程以下，摩爾定律該如何繼續延續，這將成爲一個嚴肅的問題。