11月29日，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，该装备用365nm波长的紫外光单次成像实现了22nm的分辨率，为光学超材料/超表面、第三代光学器件、传感芯片等纳米光学加工提供了全新的解决途径。

本来这仅仅是我国光刻机国产化万里长征的第一步，完成国产替代依然任重而道远。但这一消息引来众多自媒体的“自嗨文”，高呼中国自主突破，不可战胜。《国产光刻机的伟大突破，国产芯片白菜化在即！》、《中国芯片正崛起！国产光刻机突破荷兰技术封锁，弯道超车！》、《中国造出全球首台新式光刻机 芯片荒有救了》。

12月3日，科技日报的一篇《国产22纳米光刻机治不了咱们的“芯”病！》立刻“打脸”这些“自嗨”文。文章指出，验收会上有记者问：该光刻设备能不能刻芯片，打破国外垄断？光电所专家回答说，用于芯片需要攻克一系列技术难题，距离还很遥远”。总之，中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事。

光刻机是制造芯片的核心装备，目前光刻机核心技术在欧美日本厂商手里，我国在这一领域长期落后。如果采用传统的制造路线，中国要追赶是非常困难的。中科院光电所利用表面等离子体超分辨成像原理，采用全新技术，取得了多项技术突破。绕过了高分辨光刻装备技术知识产权壁垒。

目前该项目目前已获得了授权国内发明专利47项，国外发明专利4项，拥有完全自主知识产权。在应用方面，项目组为多家单位制备了一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了超分辨光刻装备纳米功能器件（非IC芯片）加工能力。

但另外一方面，该装备还不具备用于产线上微电子芯片的制造能力，不能代替微电子芯片的制造。中科院光电所这次突破，只能算技术路线尝试的一小步，未来商业化道路还比较漫长。

目前，光刻机领域的龙头老大仍然是荷兰ASML，占据了高达80%的市场份额，垄断了高端光刻机市场。其最先进的EUV光刻机售价曾高达1亿美元一台，且全球仅仅ASML能够生产。Intel、台积电、三星都是它的股东。光刻机领域的另外两位参与者，日本佳能和尼康已经基本放弃第六代EUV光刻机的研发。