IT之家12月5日消息 根據長鑫儲存官方的消息，長鑫存儲與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達成專利許可協議和專利採購協議。 依據專利許可協議，長鑫存儲從 Polaris 獲得大量 DRAM 技術專利的實施許可。這些專利來自 Polaris 於2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。

依據獨立的專利採購協議，長鑫存儲從 Polaris 購得相當數量的 DRAM 專利。據悉，長鑫存儲的事業2016年在安徽合肥啓動，專業從事DRAM 的研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠並投產。

根據之前的報道，長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前，該公司已經制定了至少兩個10納米級製造工藝的路線圖，並計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。

目前，長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來製造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年製造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。