與非網 5 月 9 日訊，全球芯片製造商預計今年將削減對於生產設施的投資，就如 2019 年應對嚴重供應過剩的市場環境一般。

據市場研究公司 Omdia 報告顯示，全球對 DRAM生產設施的投資額預計將較上年同期減少 13.3%，至 178 億美元；NAND 閃存方面投資將達 267 億美元，降幅爲 5.8%。

不過，Omdia 也在報告中指出，2021 年內存市場的投資額可能會回升，包括 DRAM 設施投資預計增長 20.8%，至 215 億美元；NAND 閃存投資增長 6.2%，至 283 億美元。

對此，有業內人士表示，“考慮到內存投資在下跌週期下跌，在上漲週期又回升，Omdia 的預測似乎相當準確。”

與此同時，市場專家稱，芯片製造商正通過儘可能的減少投資，尋求削減庫存，進而提振內存價格。

另一方面，SK 海力士在第一季度財報中表示，從去年開始削減資本支出方面仍保持不變；三星電子在 2020 年 1 月宣佈其 2019 年最後一個季度的業績時表達了類似的觀點，美光（Micron）也是如此。

值得一提的是，自新冠病毒爆發後，儘管市場對智能手機需求大大下滑，但受遠程教學、在線辦公趨勢的推動，用於雲基礎設施的服務器內存需求實際上一直在增加，而這一趨勢正在推高存儲芯片的價格。

另外，韓國 KB 證券在 5 月 6 日發佈的一份報告中指出，截至今年第二季度，DRAM 需求預計將超過供應的 20%。該報告補充稱，隨着經濟發展進入第三季度，這一趨勢可能會繼續並擴大。這意味着，內存芯片價格有望繼續走高。