6月1日，三星电子 (Samsung Electronics) 宣布，将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。

Source：三星电子

据三星官方消息指出，新工厂位于韩国平泽2号线内，计划于2021年2月量产，将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。虽然官方暂未公布具体投资金额，但业界推测该新NAND生产线的投资规模，或将达到8万亿韩元。

三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的普及而带来的NAND需求。业者认为，三星电子近期连续宣布的投资计划，尤其是在目前新冠疫情重创全球经济的情况下，反映出其欲在全球闪存市场继续拉大优势的决心。

集邦咨询（TrendForce）半导体研究中心(DRAMeXchange)分析师认为，三星持续对NAND Flash增加资本支出，除了维持产品竞争力，也巩固未来市占份额。三星该新厂的建置也将使该公司的内部产能配置 (between DRAM and NAND Flash) 更有弹性。

至于三星建新厂是否会对市场价格造成影响，集邦咨询则维持原先预测，长期的NAND Flash价格趋势恐将持续走弱。

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封面图片来源：三星电子