即使在疫情爲消費電子行業帶來巨大沖擊和不確定性的情況下，真無線立體聲（TWS）耳機仍然在今年保持快速的增長，全球市場研究公司Counterpoint Research預測，全球真無線耳機市場規模預計2020年將達到2.30億部，同比增長90% 。

TWS耳機小巧、輕便、無拘無束的產品特性促使其快速增長。同時，隨着相關解決方案的不斷成熟，TWS耳機在音質、連接穩定性、傳輸延遲和功耗等用戶關心的產品力層面也在不斷提升。ANC主動降噪和AI語音助手的加入，也將耳機帶入更廣闊的應用空間。

與此同時，TWS耳機整體解決方案的成本也在不斷下降。從市場的整體趨勢來看，未來智能手機廠商將逐步以TWS耳機取代有線耳機。

目前市場上大多數TWS耳機均由耳機本體和充電倉兩部分構成。如下是其功能框圖：

TWS耳機應用框圖

豪威集團旗下韋爾半導體擁有電源管理器件、分立器件、音頻器件、信號鏈和射頻器件等多條產品線，能夠爲TWS耳機提供超低功耗電源管理、MEMS麥克風、霍爾傳感器、系統保護、模擬開關等，如框圖中綠色部分所示，涵蓋一個TWS耳機解決方案中SoC以外的大部分產品。

下面對這些產品做一些深入的介紹。

MEMS麥克風

韋爾半導體提供適用於 ANC 降噪功能的MEMS麥克風產品 WMM7018ABSNA0，採用底部收音，2.75 x 1.85 x 0.90mm 的超小尺寸設計。其信噪比高達 65dB，能夠爲 TWS 耳機提供靈敏的拾音和純淨的音質，可下沉至 20Hz 的平坦頻響設計，能夠帶來優異的低頻特性，有利於多 MIC 匹配，也爲後續的算法提供更多空間，進一步提升 TWS 耳機的主動降噪性能。此外，其聲學過載點（AOP）高達 130dBSPL，工作電流僅 92uA ，符合 TWS 耳機的寬輸入動態範圍和低功耗等要求。

爲便於結構設計，韋爾還推出了與 WMM7018ABSNA0 同樣小尺寸封裝的頂部收音的降噪專用硅麥克風。其性能與 WMM7018ABSNA0 相當，頂進音的特點，簡化了用戶聲導管的設計，爲整機結構設計帶來更大的靈活性。

低靜態電流 LDO

韋爾半導體在國內 LDO 市場有着非常好的市場佔有率。爲了滿足 TWS 耳機低功耗、小體積、輕量化等需求，推出靜態電流低、輸出精度高、封裝小的 WL2825D 和 WL2815D，非常適合 TWS 耳機等智能可穿戴設備。

其中，WL2825D 的靜態電流可低至 0.6uA ，能夠有效提高電能利用率，延長設備待機時間；±1% 的高輸出電壓精度，確保負載工作在理想的供電環境。其採用 DFN1X1-4L 封裝，尺寸小，熱阻低，通用性強，能夠滿足 TWS 耳機輕便小巧的需求。

除了 WL2825D, 韋爾半導體還有具備更高帶載能力的 WL2815D。其功耗稍高，價格更低，爲側重性價比的客戶和應用提供瞭解決方案。提供 1.2~3.3V 多種輸出電壓版本，其封裝和 WL2825D 引腳兼容。

充電管理 IC

在耳機充電方面，韋爾半導體推出了高集成度充電管理 IC 解決方案 WS4538Q。其輸入耐壓高達 28V，充電電壓精度達 ±1%，可編程充電電流爲 5～300mA，並具備熱管理功能。WS4538Q 同樣採用超緊湊的封裝，高度僅爲 0.4mm，超小體積適合 TWS 耳機的空間需求。

此外，還有支持 1A 線性充電的 WS4508S，其採用 SOP-8L 封裝，具備低截止電流等特性，線性充電外圍電路簡單，紋波小，成本低，可以滿足大多數充電倉的性能需求，

過流保護負載開關（OCP）

在 TWS 耳機充電倉當中，出於系統對充放電的安全要求，適配器輸入口和 Pogo Pin 都需要過流保護。

韋爾半導體推出的過流保護負載開關（OCP） WS4612EAA-5/TR 具備較低的阻抗，在輸入電壓爲 5V 時，正常的導通電阻僅爲 60mΩ，可有效減少發熱。其採用業內成熟的 SOT23-5L 通用封裝，能夠適配更多 TWS 耳機解決方案，並有利於保證供貨穩定。

過壓保護負載開關（OVP）

爲了給充電接口提供更好的保護，抑制高壓浪湧，高性能的過壓保護負載開關（OVP）也是必不可少的。

韋爾半導體推出的高性能過壓保護開關 WS3241C-12/TR 導通電阻僅 30mΩ（典型值），可以持續耐受高達 29V 的直流電壓。內部集成浪湧泄放通路，抑制能力高達 100V。對於 TWS 耳機等便攜式電子產品的充電接口後端電路的兩大天敵“高壓”和“浪湧”，能夠起到有效的防護和抑制作用，從而大大降低產品市返率。

浪湧和 ESD 保護

TWS 耳機在日常使用中需要頻繁地進行取下、戴上等操作，對於其內部的芯片產品來說，勢必面臨靜電考驗，需要採取相應的防護措施。

韋爾半導體爲 TWS 耳機推出了全方位的 ESD 保護解決方案。

在充電倉側，韋爾半導體提供各種封裝的 TVS，滿足充電倉側重點防護位置 VBUS 的不同的浪湧需求。例如採用 DFN2020 封裝的 ESD56161D24，具有較低鉗位電壓（Vcl）和很高的脈衝峯值電流（IPP）。目前業內對浪湧主流要求爲 ±100V，同時要求滿足 DC16V 以上的直流耐壓。ESD56161D24 則能夠滿足高達 ±300V 的更爲嚴苛的要求。

另有采用小尺寸 0201 封裝的 ESD54191CZ 可應用於 VBAT 及 POGO PIN，可兼顧浪湧和 ESD 綜合防護性能。

在耳機側，重點防護的位置是 VBAT、GPIO、POGO PIN，硅麥和 DC 電源。與充電倉的標準一樣，主流品牌的 ESD 需要滿足接觸放電 4KV，空氣放電 10KV 的要求。部分品牌要求滿足接觸 6KV，空氣 15KV 的高等級靜電防護要求。這對於超小尺寸的耳機設計提出了很大的挑戰。

韋爾半導體推出的 TVS 產品 ESD73111CZ 和 ESD73131CZ，採用 0201 小尺寸封裝，具超低鉗位電壓（低至 5.5V 和 6V），配合結構、電容、磁珠及 layout 的處理，可以迎接各種靜電挑戰。

MOSFET 產品

韋爾半導體擁有多元化 MOSFET 配置，提供單 N、單 P、雙 N 型 / 雙 P 型、共 Drain 等組合型式。具備封裝小、高速開關、低開啓門限電壓、大電流和高可靠性等特點，能夠充分滿足 TWS 耳機靈活多樣的架構要求，減小元件空間佔用，有效利用 PCB 面積。小體積的高速信號開關 N 溝道 WNM2046E，具有封裝小、高可靠性等特點，可用於耳機系統的開關控制、通訊電路等。高速信號開關 P 溝道 WNM2092C，可用於耳機系統的負載控制和保護。鋰電池保護 MWNMD2171 作爲保護電路的關鍵器件，其經歷了嚴苛的測試驗證和市場檢驗。DFN2*2-6L 雙 P 溝道 WNMD2084 封裝緊湊、大電流、易操作，幫助客戶從容應對挑戰。

模擬開關

主流 TWS 耳機及充電倉多采取雙觸點接觸方式，充電倉爲耳機充電以及與耳機實現通訊藉助的是同一個觸點，需要功能切換。韋爾半導體推出的採用低 Ron 的雙路單刀雙擲開關 WAS4729QB，採用 QFN1418-10L 封裝，尺寸僅爲 1.4mm x 1.8mm，佔板面積小。其同時還具備邏輯控制簡單，電路穩定可靠等優點。

隨着 TWS 耳機的 SoC 方案不斷推陳出新，性能不斷進步，TWS 耳機成爲未來便攜音頻設備的主流已經是必然的趨勢。

豪威集團以強大的技術儲備和研發能力以及完備的產品線爲 TWS 耳機提供一站式解決方案，滿足 TWS 耳機產品高集成度、超低功耗的要求，推動新一代 TWS 耳機在通訊、音質、續航等方面的用戶體驗不斷提升。

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