美國大選結束了，但是美國並沒有打算停止對中國科技企業的封鎖。在12月4日，美國國防部網站就正式將中芯國際、列入了所謂“軍事最終用戶”。後續的影響就是美國企業，在向這四家企業提供技術和產品時，都要獲得許可纔行。

然而在最近在上海的一個互動平臺上，總部位於上海的半導體制造國際公司（SMIC）暗示已開始其第二代N + 1 FinFET工藝的小規模試生產。披露此消息是爲了回應投資者對公司在7納米產品的研發和生產方面取得的進展的疑問。

中芯國際首先宣佈，它將在2019年實現中國最先進的14nm工藝的批量生產。該工藝是該公司的第一代FinFET工藝，並於2019年第四季度開始批量生產。 海思 Kirin 710A芯片組首先在榮耀Play 4T中使用，然後在其他幾款華爲產品中使用。

今年9月，當投資者要求覈實有關下一代芯片大規模生產的內部消息時，中芯國際回應說，其第二代FinFET N + 1工藝確實已經進入了客戶引入階段。該公司同樣暗示，預計將在2020年底開始小規模生產（試生產）。

10月下旬，中國一站式IP和定製芯片公司武漢芯動科技宣佈，它已完成基於SMIC FinFET N + 1先進工藝的全球首個芯片出帶和測試。所有IP均由內部製造，具有一次性功能。

關於N + 1工藝，中芯國際首席執行官梁孟松在今年早些時候透露，該工藝在功率和穩定性方面與7nm工藝非常相似，並且不需要EUV光刻。新的N + 1工藝節點被稱爲8nm或早期的7nm工藝。該過程適用於低功耗應用。與14nm工藝相比，中芯國際的N + 1工藝性能提高了20％，功耗降低了57％，而7nm市場基準性能提高了35％。

儘管這是一個好消息，但中芯國際仍比臺積電落後了幾年，臺積電已經開始採用5nm工藝，目前正在開發其下一代3nm節點。