無論如何，現在還是要承認我們在半導體產業上，尤其是在先進製程工藝的芯片製造上，我們已經處於落後狀態。正視問題、解決問題是我們需要做的，如何解決問題？看看近來任正非的一些表態，或許我們應該深思一下：

芯片

C9高校校長一行訪問華爲的座談會上，任正非表示：現在國產芯片的發展問題主要出在“製造設備、基礎工業以及化學制劑”上。我們國家要重視發展“裝備製造業、化學產業”。大學不要管當前的“卡脖子”，要“深紮根”，要“捅破天”，要把化學看成重要的學科，要培養更多的尖子人才和交叉創新人才。

由此可以看出來，任正非非常重視在化學材料的進步。材料上的突破是半導體產業突破的先決條件，而在這方面，其實我們已經有企業行動起來了。例如致力於光電子及微電子材料的研究的南大光電在實現ArF光刻膠的技術突破後，於近日發佈消息稱，已經成功實現了ArF光刻膠生產線的建設，且已經開始投產，這意味着我們在高端光刻膠方面實現了量產。

任正非

ArF光刻膠屬於光刻膠領域比較先進的一種，可以實現193nm波長曝光的光刻材料，可不要小看了這個193nm，此波長的光源可以實現7納米工藝芯片的製造，當然了，28nm、14nm就更不是問題了。

任正非

根據曝光光源的波長，可以將光刻膠分爲ｇ線、ｉ線、KrF、ArF、F2，對應的光源波長爲436nm、365nm、248nm、193nm、157nm、13.5nm，而達到13.5nm就是意味着進入了EUV光刻階段，由此可見，我們的光刻膠材料還有漫漫長路需要我們探索。

芯片

因爲華爲無法採購到5nm、甚至是更先進的芯片，讓不少人覺得問題出現在了EUV光刻機上，不可否認，在EUV光刻機上，我們落後太多，甚至是DUV光刻機上，我們也存在巨大的差距，但是如果將問題都推到了光刻機上，這很明顯是不負責任的說法，畢竟，芯片製造是整個半導體產業鏈都需要發力的產業。

國產自主製造芯片工藝落後，不僅僅是光刻機的問題，還有材料的問題。就像日本對韓國半導體產業動手一樣，直接在光刻膠、氫氟酸、氟化聚酰亞胺等關鍵材料上進行限制，直接捏住了韓國半導體產業發展的命門。

任正非

在這些方面，我們同樣需要加油，雖然說，我們現在在Arf光刻膠上已經獲得了突破，但是，這終究是在DUV光刻技術上的突破，我們的長遠目標還是應該放到EUV光刻技術上，儘管暫時我們還達不到這個水平，但是未雨綢繆不是壞事，在材料上向下紮根，這樣我們的半導體產業纔會迎來希望。