工艺制程都是14nm，中芯国际追上英特尔了吗？

12月8日点开半导体某行业大号，一个关于中芯国际的好消息扑面而来，题目如下图。

说实话，仅看标题就很振奋，中芯国际的工艺制程竟然已追上英特尔，老五追上老大，这速度可以！对英特尔来说，工艺制程被台积电接连甩开，芯片性能被AMD一再吊打，曾经的好伙伴苹果也甩手而去，2020年不顺心的日子随手抓起来就是一大把，现在又添上中芯国际，日子真有种没法过的味道。

然而，点开标题却是“该内容已被发布者删除”。白高兴无疑了。

作为行业媒体，不可能空穴来风，一定有什么蛛丝马迹引发了猜想。查了查，还真有。12月4日，有投资者在互动平台向中芯国际提问“请问近来公司7nm产品生产研发进展如何？在国内外将产生怎样的影响？”

不买股票的可能无法理解这句话背后的心情，尤其对中芯国际IPO上市第一天就上车的股民，7nm工艺面世意味着在山顶站岗的日子终于要结束了，毕竟台积电5nm工艺制程刚投产，7nm大规模量产，中芯国际7nm工艺面世的话，和台积电的差距缩小，公司估值将进一步提升。

然而现实比较骨感。

公司的回答是，第一代FinFET（鳍状晶体管）14nm在2019年四季度进入量产，第二代FinFET已进入小量试产。

回答中的“第二代FinFET”很容易引起联想，也是媒体报道容易出错的地方。因为“第二代FinFET”就是中芯国际下一代“N+1”工艺。在公司2019年第四季度财报会议上，梁孟松博士透露的N+1信息为，在功耗和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似。

换句话说，“第二代FinFET”等于“N+1”约等于7nm，也就是“第二代FinFET”约等于7nm。联系到英特尔的工艺制程目前最高是10nm，所以结论就是：中芯国际工艺已追上英特尔。

上面结论的逻辑看起来丝丝入扣，实际是大错特错，因为台积电的X nm和英特尔的X nm完全是两码事，直接套数字会驴唇不对马嘴。

英特尔14nm+++工艺制程和台积电7nm工艺制程，在数字上差出一倍，看起来后者应该更厉害才是，然而电子显微镜下，两种工艺制造的晶体管栅格仅差2nm，英特尔14nm+++的晶体管栅格宽度为24nm，台积电7nm的晶体管栅格宽度为22nm。

说实话，不到9%的差距，说7nm是14nm++++都有点勉强。考虑到英特尔的14nm+++是14nm++的小改款，而14nm++相对于14nm、14nm+也是挤牙膏产品（见下图），所以台积电的7nm和英特尔的14nm相比，优势不会太大，这也是英特尔一直不服台积电的原因，有机会就强调比工艺制程先进与否，别比什么Xnm，有本事比晶体管密度。

为何芯片制造工艺标准会如此混乱？答案和代工企业的宣传策略有关。

在台积电的对外宣传中，7nm制程工艺有三个版本，一种是初代7nm，由DUV（深紫外）光刻机制造，俗称N7，改良自10nm，第二种是N7的升级版，仍使用DUV光刻机，俗称N7P，第三种是真正的7nm，首次引入EUV（极紫外）光刻机制造，即N7+。

骁龙855、麒麟980的工艺采用N7，骁龙865采用N7P，麒麟990则采用N7+。当时高通华为为争抢7nm首发，抢得头破血流，就和7nm的宣传噱头有关，但没有EUV光刻机加持的7nm都是10nm的各种马甲改良版，原因很简单，ASML最先进的DUV光刻机TWINSCAN NXT：2000i的分辨率，最高只能到38nm。

但普通用户不知道这些太专业的东西，以为只要是7nm就是好，于是用户、商家、代工厂皆大欢喜。

总之，英特尔的14nm和台积电的第一代7nm差距微乎其微。真正让台积电拉开与英特尔工艺制程差距的，是EUV光刻机制造的7nm。英特尔14nm工艺的晶体管密度大约是0.373亿个/平方毫米，10nm工艺的则增加了1.7倍，达到1.008亿个/平方毫米，与台积电EUV 7nm（第三代7nm工艺）的相当。

中芯国际的技术人才班底来自台积电，梁孟松有过台积电、三星任职经历，所以“N+1”也就是14nm+，工艺制程应该略高于台积电的16nm，显然和英特尔的14nm是完全不能比的，毕竟英特尔的14nm相比台积电的第一代7nm，差距都不算大。