記者/李昊

聞泰科技(600745.SH)自主設計研發的絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,下稱IGBT)系列產品取得階段性重大進展。

3月9日盤後聞泰科技公告稱,公司的全資子公司Nexperia B.V.(下稱安世半導體)於2021年設立了中國研究院,專注高壓功率器件、模擬IC等新產品研發方向。目前公司自主設計研發IGBT系列產品已流片成功,各項參數均達到設計要求。

安世半導體是聞泰科技半導體業務的承載平臺,是公司半導體業務收入的來源。在集成電路設計領域,“流片”一般是指“試生產”,即通過流水線生產少量產品用於驗證工藝和測試。若流片通過,一般標誌着該產品可以大規模生產。

聞泰科技董祕辦相關負責人向界面新聞表示,IGBT是功率半導體裏面後續發展前景比較大的產品,公司之前一直在做研發。流片是該產品研發投產過程中比較關鍵的流程節點。

IGBT是電源轉換的核心器件,也是新能源與節能低碳經濟的主要支撐技術,具有開關速度快、載流密度大等特點,擁有廣泛的應用市場,主要面向新能源汽車、光伏/風力發電、智能電網、大功率電源、工業控制、家電產品等領域。

談及聞泰科技IGBT的具體用途,該負責人表示,“該產品一種是車用的,一種是光伏用的,主要是這兩個行業多一點。但如果具體細分到市級的下游場景,很多地方都有用。”

值得注意的是,全球IGBT市場已被行業龍頭佔據半壁江山。2020年全球IGBT器件市場,英飛凌、富士電子、三菱電機三家合計佔據了54.20%的份額;IGBT模塊方面,上述三家合計佔據了57.60%的份額。

反觀國內的IBGT市場,競爭則更加劇烈。2019年,僅英飛凌科技一家就佔據了國內新能源汽車IGBT模塊近60%的市場份額,比亞迪微電子則佔據了18%的份額。聞泰科技作爲後來者,其能搶佔多少份額仍有待觀察。

不過上海證券看好安世半導體IGBT業務的發展。其研報認爲,安世半導體已構建發展IGBT業務的核心競爭要素,後勁充足,有望後發先至。

至於聞泰科技的IGBT產品何時能量產並創造營收,該負責人表示,“沒有那麼快,因爲半導體產品的研發週期比較長,時間跨度比較大。但該產品是公司未來增長的一個新的方向”。

聞泰科技也提示稱,IGBT流片成功後,仍需經過客戶驗證,後續量產計劃具有不確定性。

從二級市場表現來看,近期聞泰科技股價並不如人意。2021年12月15日公司股價達到143.88元/股的階段性新高後便震盪下行,至今跌幅達28%。

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