預計二季度起將全面反映DRAM漲勢。

據臺灣電子時報報道，存儲器模塊業者傳出，三星電子、美光等存儲器大廠，正規劃今年第一季將DRAM價格調漲15%-20%，從1月起執行，藉此催促客戶提前規劃未來使用需求量。已有廠商透露收到三星的漲價預告。

業界人士稱，上游原廠漲價焦點將從NAND轉移至DRAM，DDR4、DDR5有望成下一波調漲重點，以加速改善營運虧損。至於DDR3，其產能及需求相對穩定，預計漲幅相對平緩。

業界預期，隨着上游原廠醞釀提價DRAM，多家存儲器模塊業者各自收到風聲啓動備貨，預計供貨給OEM廠的合約價可望延後一個季度跟進，即二季度起將全面反映DRAM漲勢。

存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash爲主，此前NAND Flash的價格從2023年下半年一路上漲，而DRAM報價漲幅較少，2023年12月DRAM報價僅微幅調漲2%-3%，明顯低於3D TLC NAND約10%的漲幅。

對於上游原廠計劃在一季度啓動DRAM補漲行情，存儲器模塊業者表示並不意外，目前市場需求尚未恢復穩定，DRAM報價調漲仍然由上游原廠主導，行業已有預期，近月來已陸續回補低價庫存。

至於未來DRAM漲幅能否如同NAND Wafer強勁攀升，仍需觀察後續市場需求。報道稱，終端市場仍存在觀望氣氛，前兩個季度的市場表現非常關鍵，若主要應用出海口需求順利銜接，存儲器前景纔會比較確定。

供給方面，業界指出，無論是DRAM或是NAND，2023年Q4上游供貨狀況並不緊缺，“前提是要能夠接受原廠提出的價格，只要價格對了，原廠都有貨可以賣。”

這一背景下，削減產能仍然是原廠重要的保價策略。2023年下半年，韓系DRAM大廠一直在降低DRAM稼動率，同時逐步增加高端製程的產出，以三星爲例，2023年Q4 DRAM產出僅佔2023年Q1的七成左右。

據瞭解，2024年Q1 DRAM整體產能供應仍然偏向節制謹慎，未來供應商將會持續減產成熟製程，並轉向先進製程技術。

整體而言，從行業週期角度看，海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善，主流存儲價格自2023Q3起持續回暖，並在Q4帶動利基存儲價格觸底回升，去年8月末起，晶圓端漲價已開始傳導至模組端。

展望後續，中信證券預計12月部分緊缺且對應下游需求復甦較早的產品漲價將持續(如移動存儲)，庫存持續去化的下游環節如傳統服務器內存的價格漲勢或將相對放緩。隨着各原廠持續減產DDR4、行業庫存去化、下游服務器市場復甦，預計2024年主流DRAM價格有望持續回升。