三星在美國設立實驗室，開發新一代3D DRAM

據業內人士稱，全球最大存儲芯片製造商三星電子公司在美國新設了一個研究實驗室，以開發新一代3D DRAM。

該實驗室隸屬於總部位於美國硅谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America （DSA），將致力於開發升級的DRAM模型，使三星能夠引領全球3D存儲芯片市場。

去年10月，三星電子透露，其正在爲10納米以下的DRAM準備新的3D結構，允許更大的單芯片容量，可以超過100千兆位。