在近日舉辦的CESC2024第二屆中國國際儲能大會上，許多儲能企業帶來了旗下最新的儲能系統產品。在一衆“大傢伙”之間，揚傑科技(300373)的展位裏卻擺放着一個個小器件——全系列IGBT和SiC產品。

IGBT譯爲“絕緣柵雙極型晶體管”，是一種複合全控型電壓驅動式功率半導體器件；SiC則是一種碳硅化合物，是第三代半導體的主要材料，由於在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優勢，SiC能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。

望着櫥窗裏的展品，揚傑科技此次展會的相關負責人劉女士介紹道，這些器件的應用場景非常廣，比如新能源汽車、光伏、充電樁、儲能等，需要用電的地方基本都可能涉及到，它們在其中所扮演的角色往往是一個過渡的載體，起到控制連接的關鍵作用。

而作爲第三代半導體的SiC，其應用在光伏儲能領域有着不少優勢，東方證券在研報中指出，相比於硅基IGBT，SiC MOS具有更低的導通損耗、更低的開關損耗、無電流拖尾現象、高開關速度等優點，並且可以在高溫等惡劣的環境中工作，有利於提高光伏逆變器使用壽命。

據揚傑科技披露，公司現已開發上市G1、G2系SiC MOS產品，目前已經實現批量出貨。

“最近兩年公司的發展重心就是IGBT和SiC，像這兩塊芯片的話，是有一定技術壁壘的。”提及研發，該負責人坦言SiC的研發成本很高，因爲其價格本身就不便宜，而且在技術上還存在一些瓶頸要突破。

技術攻關如此不易，那產品研發出來後將爲公司帶來什麼？“如果我們能研發出功率更大、體積更小的SiC產品，它在市場的替代率會很強。”該負責人還透露，“針對SiC產品，公司今年跟業內部分企業有達成合作，相當於1+1＞2，所以今年的產品線會更加豐富一些。”

記者 陳陟 實習記者 黃琴琴