爲應對用於人工智能（AI）的半導體需求的大幅度增長，此前SK海力士已決定擴充人工智能基礎設施的核心產品，即HBM3E等新一代DRAM的生產能力。與此同時，SK海力士還與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作，開發第六代HBM產品，也就是HBM4。

雖然距離HBM4投產還有兩年的時間，不過SK海力士已經在加速推進第七代HBM產品的開發工作。據etnews報道，SK海力士HBM先進技術團隊負責人KimKwi-wook在近日舉行的“IMW2024”活動上分享了下一代HBM的發展方向，表示當前HBM技術已達到新的水平，同時代際更迭週期也在加快，從HBM3E開始，由以往的兩年變成了一年。

行業對於高帶寬存儲器的高需求迫使SK海力士將HBM項目提速，預計首批12層堆疊的HBM4最快會在明年下半年到來，到2026年還會有16層堆疊的產品，不但會利用MR-MUF技術，同時還會往更爲定製化的方向發展，而HBM4E最早會在2026年出現。這是SK海力士首次提及HBM4E，確認了新標準的存在，傳聞帶寬將是上一代產品的1.4倍。