图1、东芝开始出货用于快速充电的MOSFETS器件

新型TCK401G（高电平）和TCK402G（低电平）电荷泵驱动器IC适用于与具有低RDS（on）的N沟道MOSFET配合使用的大电流移动充电应用。驱动器IC支持多种内置安全功能，包括过压保护，浪涌电流降低和自动输出放电等。

图2、新型TCK401G（高电平）和TCK402G（低电平）MOSFET

该器件采用范围为2.7V至28V DC的输入电压工作，仅需要消耗121μA的静态电流（IQ）。栅极电压（VGATE）的开关时间分别为0.58ms（ON）和16.6μs（OFF）。

图3、封装形式

电源电路可以通过使用具有一个或者两个外部N沟道MOSFET的新驱动器来实现，该外部N沟道MOSFET具有适用于预期应用中的最大额定电压和导通电阻。

图4、内部框图

例如，TCK40xG驱动器IC和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET的组合适用于移动或者消费类应用，因为它能够以紧凑的占位面积来构建高达100W功率的电源。

图5、定时信息

图5、定时信息

它们采用WCSP6E封装形式，尺寸为0.8mm×1.2mm×0.55mm。

（完）