摘要：台积电宣布推出6nm（N6）工艺，该工艺相较于N7技术显着增强，并为客户提供了具有高度竞争力的性能，以获得成本优势，以及从N7设计无缝过渡，快速应用到市场。台积电业务发展副总裁张凯文博士表示，“台积电N6技术将进一步扩大和提供比现有N7更高性能和成本优势的产品，在7nm技术取得广泛成功的基础上，我们的客户将能够利用当今成熟的设计生态系统，从新产品中快速获得更高的产品价值。

在7nm EUV工艺上的竞争还在如火如荼的进行中，4月16日三星宣布完成5nm FinFET工艺开发，台积电则推出了6nm（N6）工艺，都将利用EUV光刻，在2020年开始投产，新的战局已经拉开。

三星5nm EUV工艺将2020年在华城投产

三星电子宣布完成5nm FinFET工艺开发，并已开始给客户送样。与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，从而使其能够拥有更多创新的标准单元架构。5nm在金属层图案化中使用EUV光刻，并减少掩模层，同时提供更好的保真度。5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm的IP重新用到5nm工艺制程上，从而使得客户能够有效降低迁移成本，利用预先验证的设计生态系统，缩短5nm产品的开发时间。

三星Foundry与其“三星高级代工生态系统（SAFE™）”合作伙伴密切合作，为三星5nm工艺提供强大的设计基础架构，自2018年第四季度开始提供包括工艺设计套件（PDK），设计方法（DM），电子设计自动化（EDA）工具和IP。此外，三星Foundry已经开始向客户提供5nm多工程晶圆（MPW）服务。

2018年10月，三星宣布准备并初步生产7nm工艺，这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。三星已为业界提供首批基于EUV的商业样品，并于今年初开始量产7nm工艺。此外，三星正在与6nm的客户合作，这是一个定制的基于EUV的工艺节点，并且已经收到了首款6nm芯片的流片产品。

目前，基于EUV的工艺技术正在韩国华城的S3生产线上生产。此外，三星将在华城开设一条新EUV生产线以扩大EUV产能，该生产线预计将在2019年下半年完成，并从明年开始增产。

台积电6nm将在2020年Q1试产

台积电宣布推出6nm（N6）工艺，该工艺相较于N7技术显着增强，并为客户提供了具有高度竞争力的性能，以获得成本优势，以及从N7设计无缝过渡，快速应用到市场。

台积电的N6工艺比N7工艺提供了18%的更高的逻辑区域。同时，其设计规则与台积电成熟的N7技术完全兼容，使其全面的设计生态系统得以重用。因此，它为客户提供了无缝的过渡，以及具有快速的设计周期，以实现新技术产品带来的产品效益。

台积电预计将在2020年Q1进行试产，台积电的N6技术为客户提供了更高的经济效益，同时将7nm系列领先的电源和性能广泛的应用到市场，从高端到中端，包括人工智能，5G网络和基础设施、GPU和高性能计算。

台积电业务发展副总裁张凯文博士表示，“台积电N6技术将进一步扩大和提供比现有N7更高性能和成本优势的产品，在7nm技术取得广泛成功的基础上，我们的客户将能够利用当今成熟的设计生态系统，从新产品中快速获得更高的产品价值。”

2019年中国闪存市场峰会（CFMS2019）将在9月19日中国·深圳召开！