繼三星、東芝/西部數據、美光/英特爾等宣佈96層/QLC新一代技術，SK海力士也宣佈推出業界首款4D NAND，採用CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）架構，使存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。與傳統架構相比，4D NAND的外圍電路（PUC，Peri.Circuits）位於存儲單元下方，可縮小芯片面積、縮短處理工時、降低成本。

SK海力士4D NAND初期是96層堆疊的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準），預計將在今年Q4送樣。SK海力士將基於4D NAND推出BGA封裝（16mmx20mm）容量高達2TB的SSD，U.2 eSSD容量可達64TB，預計將在2019上半年送樣。

此外，SK海力士還將基於V5 4D NAND技術推出QLC，也是採用96層堆疊，單Die容量1Tb，預計將在2019年下半年送樣。

與採用72層堆疊的V4 3D TLC相比，採用96層堆疊的4D NAND面積減小30%、讀速提升25%、寫速提升30%，此外帶寬和功率提升150%，產能提升20%。

SK海力士目前已經開始進行128層堆疊V6 4D閃存的研發，接下來將提高到2xx層,未來可達到500層堆疊。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單die最大512Gb（64GB），96層QLC NAND的單顆die容量提高到1Tb，4D NAND技術的持續發展推動容量的不斷升級，未來10年內可望出現10TB的BGA SSD。

SK海力士首款自有品牌企業級產品PE4010 NVMe SSD已於今年6月份出貨給微軟Azure服務器。2018年Q2這款產品也通過了騰訊的首次驗證。